一种高纯二氧化硅的生产方法

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专利类型
发明
申请号
CN200410022593.8
申请日
2004-05-21
公开(公告)号
CN1579936A
公开(公告)日
2005-02-16
发明(设计)人
翟胤长 张晓红
申请人
申请人地址
650223云南省昆明市东风东路118号省化工厅一楼云南化工实业股份有限公司
IPC主分类号
C01B33113
IPC分类号
C01B33154
代理机构
云南协立专利事务所
代理人
旃习涵;卢汉章
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
高纯二氧化硅生产方法 [P]. 
藏健 ;
杨大锦 ;
彭建蓉 ;
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[2]
高纯二氧化硅超微粉的生产方法 [P]. 
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[3]
纳米高纯二氧化硅的生产方法 [P]. 
吕佳来 .
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[4]
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[5]
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[6]
一种回收高纯二氧化硅的方法及装置 [P]. 
何亮 ;
沈一春 ;
汤明明 .
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
一种高纯二氧化硅的制备方法 [P]. 
郝承志 ;
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