一种回收高纯二氧化硅的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420842423.3

申请日：

2014-12-26

公开(公告)号：

CN204550076U

公开(公告)日：

2015-08-12

发明(设计)人：

何亮沈一春汤明明

申请人：

申请人地址：

226009 江苏省南通市经济技术开发区中天路3号

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

代理机构：

南京君陶专利商标代理有限公司 32215

代理人：

奚胜元

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-12	授权	授权
2018-02-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/18 申请日:20141226 授权公告日:20150812 终止日期:20161226

共 50 条

[1]

一种回收高纯二氧化硅的方法及装置 [P].

何亮 ;

沈一春 ;

汤明明 .

中国专利 :CN104556070B ,2015-04-29

[2]

一种高纯二氧化硅的生产方法 [P].

翟胤长 ;

张晓红 .

中国专利 :CN1579936A ,2005-02-16

[3]

高纯二氧化硅的制备装置 [P].

赵志波 ;

于秀暖 .

中国专利 :CN222076755U ,2024-11-29

[4]

一种高纯二氧化硅加工系统及高纯二氧化硅加工方法 [P].

候军军 .

中国专利 :CN119608389A ,2025-03-14

[5]

高纯二氧化硅生产方法 [P].

藏健 ;

杨大锦 ;

彭建蓉 ;

陈加希 ;

俞德庆 ;

和晓才 ;

董英 .

中国专利 :CN101125657A ,2008-02-20

[6]

一种高纯二氧化硅冷却装置 [P].

陈怀斌 .

中国专利 :CN215261296U ,2021-12-21

[7]

一种制备高纯球形二氧化硅的方法及高纯球形二氧化硅 [P].

王瑞聪 ;

银波 ;

范协诚 ;

闵中龙 ;

仝少超 .

中国专利 :CN112194142A ,2021-01-08

[8]

高纯二氧化硅超微粉的生产方法 [P].

徐梦雷 .

中国专利 :CN1065212C ,1998-07-08

[9]

纳米高纯二氧化硅的生产方法 [P].

吕佳来 .

中国专利 :CN1634763A ,2005-07-06

[10]

一种高纯二氧化硅的制备方法 [P].

郝承志 ;

董素娟 .

中国专利 :CN104229807A ,2014-12-24

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