一种高纯二氧化硅冷却装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120045798.7

申请日：

2021-01-08

公开(公告)号：

CN215261296U

公开(公告)日：

2021-12-21

发明(设计)人：

陈怀斌

申请人：

申请人地址：

222000 江苏省连云港市东海县经济开发区晶都大道东路938号5号厂房

IPC主分类号：

F28D302

IPC分类号：

F28D1104 C30B2918 C30B3500

代理机构：

连云港润知专利代理事务所 32255

代理人：

刘喜莲;马强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高纯二氧化硅高温相变炉 [P].

陈怀斌 .

中国专利 :CN214199643U ,2021-09-14

[2]

一种高纯二氧化硅加工系统及高纯二氧化硅加工方法 [P].

候军军 .

中国专利 :CN119608389A ,2025-03-14

[3]

一种高纯二氧化硅高温晶相稳定装置 [P].

陈怀斌 .

中国专利 :CN215247879U ,2021-12-21

[4]

一种高纯二氧化硅高温晶相稳定方法 [P].

陈怀斌 ;

陈梦楠 .

中国专利 :CN112830494A ,2021-05-25

[5]

高纯二氧化硅生产方法 [P].

藏健 ;

杨大锦 ;

彭建蓉 ;

陈加希 ;

俞德庆 ;

和晓才 ;

董英 .

中国专利 :CN101125657A ,2008-02-20

[6]

高纯二氧化硅的制备装置 [P].

赵志波 ;

于秀暖 .

中国专利 :CN222076755U ,2024-11-29

[7]

一种高纯二氧化硅高温相变方法 [P].

陈怀斌 .

中国专利 :CN112938987A ,2021-06-11

[8]

一种回收高纯二氧化硅的装置 [P].

何亮 ;

沈一春 ;

汤明明 .

中国专利 :CN204550076U ,2015-08-12

[9]

一种制备高纯球形二氧化硅的方法及高纯球形二氧化硅 [P].

王瑞聪 ;

银波 ;

范协诚 ;

闵中龙 ;

仝少超 .

中国专利 :CN112194142A ,2021-01-08

[10]

高纯生物二氧化硅产品 [P].

J·C·史乌 ;

S·K·帕姆 ;

T·R·史密斯 ;

G·A·雅莫克依 ;

J·D·塔尼古奇 ;

王群 .

中国专利 :CN1196003A ,1998-10-14

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