MOS晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910197613.8

申请日：

2009-10-23

公开(公告)号：

CN102044438B

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

李奉载

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2908

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-04	公开	公开
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101080108673 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2009101976138 申请日:20091023
2020-10-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20091023 授权公告日:20121003 终止日期:20191023
2012-10-03	授权	授权
2012-12-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101478751735 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2009101976138 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121101

共 50 条

[1]

具有共源结构的MOS晶体管及其制造方法 [P].

李奉载 .

中国专利 :CN102044435A ,2011-05-04

[2]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李宰圭 .

中国专利 :CN100435353C ,2004-04-28

[3]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李东勋 .

中国专利 :CN1399319A ,2003-02-26

[4]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102931235B ,2013-02-13

[5]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李文荣 .

中国专利 :CN101477952A ,2009-07-08

[6]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

金廷澔 .

中国专利 :CN101393870A ,2009-03-25

[7]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103367158B ,2013-10-23

[8]

一种MOS晶体管及其制造方法 [P].

王海强 ;

汪铭 .

中国专利 :CN104425590A ,2015-03-18

[9]

MOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104124167A ,2014-10-29

[10]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102376581A ,2012-03-14

← 1 2 3 4 5 →