一种双副室单晶硅筒生长炉及单晶硅生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910561717.6

申请日：

2019-06-26

公开(公告)号：

CN110129879A

公开(公告)日：

2019-08-16

发明(设计)人：

陈亚雄许颖陈景鹏

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙华区观澜观光路1301号银星科技大厦D602

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B1512 C30B2906

代理机构：

石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128

代理人：

王璐

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	公开	公开
2019-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/00 申请日:20190626
2022-01-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 15/00 申请公布日:20190816

共 50 条

[1]

单晶硅生长装置及单晶硅生长方法 [P].

卢哲玮 ;

薛抗美 .

中国专利 :CN111394784A ,2020-07-10

[2]

单晶硅生长炉 [P].

李秦霖 ;

宋洪伟 .

中国专利 :CN106894082B ,2017-06-27

[3]

单晶硅生长炉 [P].

刘磊 ;

武鹏 ;

楼杭炯 ;

王运动 ;

何金凯 ;

贾晨晨 ;

王成龙 ;

张大海 .

中国专利 :CN222935574U ,2025-06-03

[4]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN104619893A ,2015-05-13

[5]

单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法 [P].

星亮二 ;

菅原孝世 .

中国专利 :CN108823636A ,2018-11-16

[6]

单晶硅生长炉 [P].

陈俊宏 .

中国专利 :CN218262828U ,2023-01-10

[7]

单晶硅生长炉 [P].

张志新 ;

王军 ;

安桂正 .

中国专利 :CN300933376D ,2009-05-27

[8]

一种单晶硅生长装置及单晶硅生长方法 [P].

王志辉 .

中国专利 :CN110528064A ,2019-12-03

[9]

单晶硅生长方法 [P].

张俊宝 ;

刘浦锋 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN105887188A ,2016-08-24

[10]

一种水冷屏、单晶硅生长装置及单晶硅生长方法 [P].

王新强 ;

张存江 ;

白建涛 .

中国专利 :CN113981524A ,2022-01-28

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