沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710093842.6

申请日：

2007-05-30

公开(公告)号：

CN100552902C

公开(公告)日：

2008-12-03

发明(设计)人：

马清杰张朝阳金勤海

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

周赤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689552276 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2007100938426 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108
2008-12-03	公开	公开
2009-10-21	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法 [P].

金勤海 ;

马清杰 ;

缪进征 .

中国专利 :CN101419937A ,2009-04-29

[2]

沟槽型双层栅功率MOS器件结构实现方法 [P].

马清杰 ;

金勤海 ;

缪进征 .

中国专利 :CN101459135A ,2009-06-17

[3]

双层栅功率MOS结构实现方法 [P].

马清杰 ;

金勤海 ;

缪进征 .

中国专利 :CN101315895A ,2008-12-03

[4]

沟槽型双层栅MOS成膜方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN107527802A ,2017-12-29

[5]

沟槽型双层栅MOS及工艺方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN104538451B ,2015-04-22

[6]

沟槽型双层栅功率MOS器件的制造方法 [P].

丛茂杰 ;

周颖 ;

陈正嵘 .

中国专利 :CN104282573A ,2015-01-14

[7]

沟槽型双层栅MOS结构的制造方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN106876276A ,2017-06-20

[8]

改善沟槽型双层栅MOS中介质层形貌的方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN106098544A ,2016-11-09

[9]

屏蔽栅沟槽型功率MOS器件的工艺方法 [P].

周颖 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN106298949A ,2017-01-04

[10]

沟槽型双层栅功率MOS器件的制备方法 [P].

金勤海 ;

沈浩峰 ;

缪进征 .

中国专利 :CN102130001B ,2011-07-20

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