沟槽型双层栅功率MOS器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410235800.1

申请日：

2014-05-30

公开(公告)号：

CN104282573A

公开(公告)日：

2015-01-14

发明(设计)人：

丛茂杰周颖陈正嵘

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	公开	公开
2017-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101710564314 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014102358001 申请日:20140530
2020-09-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20150114

共 50 条

[1]

沟槽型双层栅功率MOS器件结构实现方法 [P].

马清杰 ;

金勤海 ;

缪进征 .

中国专利 :CN101459135A ,2009-06-17

[2]

沟槽型双层栅功率MOS器件的制备方法 [P].

金勤海 ;

沈浩峰 ;

缪进征 .

中国专利 :CN102130001B ,2011-07-20

[3]

屏蔽栅沟槽型功率MOS器件的工艺方法 [P].

周颖 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN106298949A ,2017-01-04

[4]

沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法 [P].

马清杰 ;

张朝阳 ;

金勤海 .

中国专利 :CN100552902C ,2008-12-03

[5]

沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法 [P].

李陆萍 ;

张博 .

中国专利 :CN104103576A ,2014-10-15

[6]

沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法 [P].

金勤海 ;

马清杰 ;

缪进征 .

中国专利 :CN101419937A ,2009-04-29

[7]

沟槽型双层栅MOS器件的制备方法 [P].

金勤海 ;

李卫刚 ;

缪进征 .

中国专利 :CN102130000A ,2011-07-20

[8]

沟槽型双层栅MOS器件的制备方法 [P].

丛茂杰 ;

缪进征 ;

金勤海 .

中国专利 :CN102623340A ,2012-08-01

[9]

沟槽型双层栅MOS成膜方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN107527802A ,2017-12-29

[10]

分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构及其制造方法 [P].

王颖 ;

胡海帆 ;

焦文利 ;

曹菲 .

中国专利 :CN102569403A ,2012-07-11

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