沟槽型双层栅MOS器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110027939.3

申请日：

2011-01-26

公开(公告)号：

CN102623340A

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

丛茂杰缪进征金勤海

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689495331 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011100279393 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101329748988 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011100279393 申请日:20110126
2012-08-01	公开	公开
2014-12-10	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法 [P].

郭晓波 .

中国专利 :CN104576346B ,2015-04-29

[2]

沟槽型双层栅MOS器件的制备方法 [P].

金勤海 ;

李卫刚 ;

缪进征 .

中国专利 :CN102130000A ,2011-07-20

[3]

应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法 [P].

郭晓波 ;

孟鸿林 .

中国专利 :CN103839791B ,2014-06-04

[4]

沟槽型双层栅MOS成膜方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN107527802A ,2017-12-29

[5]

一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法 [P].

郭晓波 .

中国专利 :CN103824764A ,2014-05-28

[6]

沟槽型双层栅功率MOS器件结构实现方法 [P].

马清杰 ;

金勤海 ;

缪进征 .

中国专利 :CN101459135A ,2009-06-17

[7]

屏蔽栅沟槽型MOS器件的制造方法 [P].

李艳旭 .

中国专利 :CN113327860B ,2021-08-31

[8]

沟槽型双层栅功率MOS器件的制造方法 [P].

丛茂杰 ;

周颖 ;

陈正嵘 .

中国专利 :CN104282573A ,2015-01-14

[9]

沟槽型双层栅MOS结构的制备方法 [P].

金勤海 ;

康志潇 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN102129999A ,2011-07-20

[10]

沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法 [P].

李陆萍 ;

张博 .

中国专利 :CN104103576A ,2014-10-15

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