半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210536892.8

申请日：

2012-12-12

公开(公告)号：

CN103165474A

公开(公告)日：

2013-06-19

发明(设计)人：

盛田浩介高本尚英千岁裕之

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2150

IPC分类号：

H01L2154

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101751981831 IPC(主分类):H01L 21/50 专利申请号:2012105368928 申请公布日:20130619
2014-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101590113774 IPC(主分类):H01L 21/50 专利申请号:2012105368928 申请日:20121212
2013-06-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法 [P].

千岁裕之 ;

高本尚英 ;

盛田浩介 .

中国专利 :CN103137501A ,2013-06-05

[2]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

柚木幸平 ;

野岛和弘 ;

丹羽惠一 ;

大野天颂 .

日本专利 :CN119601498A ,2025-03-11

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

成田勝俊 .

中国专利 :CN106920774B ,2017-07-04

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

沼口浩之 .

中国专利 :CN103681238B ,2014-03-26

[5]

半导体装置的制造方法 [P].

松原宽明 ;

近井智哉 ;

石堂仁则 ;

中村卓 ;

本多广一 ;

出町浩 ;

熊谷欣一 ;

作元祥太朗 ;

渡边真司 ;

细山田澄和 ;

中村慎吾 ;

宫腰武 ;

岩崎俊宽 ;

玉川道昭 .

中国专利 :CN105428265B ,2016-03-23

[6]

半导体装置的制造方法 [P].

川守崇司 ;

牧野龙也 ;

祖父江省吾 ;

畠山惠一 ;

松崎隆行 .

中国专利 :CN104412369A ,2015-03-11

[7]

半导体装置的制造方法 [P].

原一巳 .

中国专利 :CN100405554C ,2008-07-23

[8]

半导体装置的制造方法 [P].

田中阳子 .

中国专利 :CN104253018A ,2014-12-31

[9]

半导体装置的制造方法 [P].

芳村淳 ;

大久保忠宣 ;

大西茂尊 .

中国专利 :CN101038891B ,2007-09-19

[10]

半导体装置的制造方法 [P].

小田高司 ;

高本尚英 ;

千岁裕之 .

中国专利 :CN102842512A ,2012-12-26

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