半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510558038.5

申请日：

2015-09-02

公开(公告)号：

CN105428265B

公开(公告)日：

2016-03-23

发明(设计)人：

松原宽明近井智哉石堂仁则中村卓本多广一出町浩熊谷欣一作元祥太朗渡边真司细山田澄和中村慎吾宫腰武岩崎俊宽玉川道昭

申请人：

申请人地址：

日本大分县臼杵市

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

代理机构：

北京寰华知识产权代理有限公司 11408

代理人：

林柳岑

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750387164 IPC(主分类):H01L 21/60 专利申请号:2015105580385 申请日:20150902
2019-09-06	授权	授权
2016-03-23	公开	公开
2020-09-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/60 变更事项:专利权人变更前:株式会社吉帝伟士变更后:安靠科技日本公司变更事项:地址变更前:日本大分县臼杵市变更后:日本大分县臼杵市

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

松原宽明 ;

近井智哉 ;

石堂仁则 ;

中村卓 ;

本多广一 ;

出町浩 ;

熊谷欣一 ;

作元祥太朗 ;

渡边真司 ;

细山田澄和 ;

中村慎吾 ;

宫腰武 ;

岩崎俊宽 ;

玉川道昭 .

日本专利 :CN110517964B ,2024-04-30

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

松原宽明 ;

近井智哉 ;

石堂仁则 ;

中村卓 ;

本多广一 ;

出町浩 ;

熊谷欣一 ;

作元祥太朗 ;

渡边真司 ;

细山田澄和 ;

中村慎吾 ;

宫腰武 ;

岩崎俊宽 ;

玉川道昭 .

中国专利 :CN110517964A ,2019-11-29

[3]

半导体装置的制造方法、半导体装置、及叠层半导体装置 [P].

深泽元彦 .

中国专利 :CN100413051C ,2006-08-02

[4]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

中岛一敬 ;

野尻祐二 ;

野口贵也 .

日本专利 :CN119069387A ,2024-12-03

[5]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

藤田努 ;

杉沢佳史 .

中国专利 :CN104425334B ,2015-03-18

[6]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

田中阳子 .

中国专利 :CN103871863A ,2014-06-18

[7]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

柚木幸平 ;

野岛和弘 ;

丹羽惠一 ;

大野天颂 .

日本专利 :CN119601498A ,2025-03-11

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

成田勝俊 .

中国专利 :CN106920774B ,2017-07-04

[9]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

森弘就 .

中国专利 :CN106796893B ,2017-05-31

[10]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

光田昌也 ;

渡部格 .

中国专利 :CN106449436A ,2017-02-22

← 1 2 3 4 5 →