半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910715828.8

申请日：

2015-09-02

公开(公告)号：

CN110517964B

公开(公告)日：

2024-04-30

发明(设计)人：

松原宽明近井智哉石堂仁则中村卓本多广一出町浩熊谷欣一作元祥太朗渡边真司细山田澄和中村慎吾宫腰武岩崎俊宽玉川道昭

申请人：

安靠科技日本公司

申请人地址：

日本大分县臼杵市

IPC主分类号：

H01L21/60

IPC分类号：

H01L23/485 H01L23/488

代理机构：

北京寰华知识产权代理有限公司 11408

代理人：

林柳岑;贺亮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

松原宽明 ;

近井智哉 ;

石堂仁则 ;

中村卓 ;

本多广一 ;

出町浩 ;

熊谷欣一 ;

作元祥太朗 ;

渡边真司 ;

细山田澄和 ;

中村慎吾 ;

宫腰武 ;

岩崎俊宽 ;

玉川道昭 .

中国专利 :CN110517964A ,2019-11-29

[2]

半导体装置的制造方法 [P].

松原宽明 ;

近井智哉 ;

石堂仁则 ;

中村卓 ;

本多广一 ;

出町浩 ;

熊谷欣一 ;

作元祥太朗 ;

渡边真司 ;

细山田澄和 ;

中村慎吾 ;

宫腰武 ;

岩崎俊宽 ;

玉川道昭 .

中国专利 :CN105428265B ,2016-03-23

[3]

半导体装置及其制造方法及制造装置 [P].

黑泽哲也 ;

田久真也 ;

友野章 .

中国专利 :CN102610566B ,2012-07-25

[4]

半导体元件及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法 [P].

町田信夫 .

中国专利 :CN114868231A ,2022-08-05

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

本田一尊 ;

佐藤慎 ;

上野惠子 ;

小关裕太 .

中国专利 :CN110582840A ,2019-12-17

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

能木孝男 ;

木谷智之 ;

东条启 ;

菅谦太郎 .

中国专利 :CN101834148A ,2010-09-15

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

小林丰雄 .

中国专利 :CN1199259C ,2003-09-10

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎浩次 ;

加东智明 .

中国专利 :CN109478517A ,2019-03-15

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

池田修 ;

大古田敏幸 .

中国专利 :CN1572718A ,2005-02-02

[10]

半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法 [P].

吉田宗博 .

中国专利 :CN105895601A ,2016-08-24

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