半导体装置及其制造方法及制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210017248.X

申请日：

2012-01-19

公开(公告)号：

CN102610566B

公开(公告)日：

2012-07-25

发明(设计)人：

黑泽哲也田久真也友野章

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2178

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

刘瑞东;陈海红

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

中岛一敬 ;

野尻祐二 ;

野口贵也 .

日本专利 :CN119069387A ,2024-12-03

[2]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

柚木幸平 ;

野岛和弘 ;

丹羽惠一 ;

大野天颂 .

日本专利 :CN119601498A ,2025-03-11

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

本田一尊 ;

佐藤慎 ;

上野惠子 ;

小关裕太 .

中国专利 :CN110582840A ,2019-12-17

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

松原宽明 ;

近井智哉 ;

石堂仁则 ;

中村卓 ;

本多广一 ;

出町浩 ;

熊谷欣一 ;

作元祥太朗 ;

渡边真司 ;

细山田澄和 ;

中村慎吾 ;

宫腰武 ;

岩崎俊宽 ;

玉川道昭 .

中国专利 :CN110517964A ,2019-11-29

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

松原宽明 ;

近井智哉 ;

石堂仁则 ;

中村卓 ;

本多广一 ;

出町浩 ;

熊谷欣一 ;

作元祥太朗 ;

渡边真司 ;

细山田澄和 ;

中村慎吾 ;

宫腰武 ;

岩崎俊宽 ;

玉川道昭 .

日本专利 :CN110517964B ,2024-04-30

[6]

半导体装置的制造方法及制造装置 [P].

种泰雄 ;

片村幸雄 ;

芳村淳 ;

岩见文宏 .

中国专利 :CN102543775A ,2012-07-04

[7]

半导体制造装置及制造方法 [P].

甲斐稔 .

中国专利 :CN107424942B ,2017-12-01

[8]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

中国专利 :CN112913016A ,2021-06-04

[9]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

日本专利 :CN112913016B ,2024-02-13

[10]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

田中阳子 .

中国专利 :CN103871863A ,2014-06-18

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101757545163 IPC(主分类):H01L 21/78 专利号:ZL201210017248X 登记生效日:20170802 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2015-03-25	授权	授权
2022-01-14	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/78 变更事项:专利权人变更前:东芝存储器株式会社变更后:铠侠股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101328717402 IPC(主分类):H01L 21/78 专利申请号:201210017248X 申请日:20120119
2022-01-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/78 登记生效日:20211231 变更事项:专利权人变更前权利人:东芝存储器株式会社变更后权利人:日商潘杰亚股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2022-01-14	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/78 变更事项:专利权人变更前:日商潘杰亚股份有限公司变更后:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都
2012-07-25	公开	公开