半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200410049267.6
申请日
2004-06-07
公开(公告)号
CN1572718A
公开(公告)日
2005-02-02
发明(设计)人
池田修 大古田敏幸
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
B81B702
IPC分类号
B81C300 G01J102 H01L2714 H01L2100
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
李贵亮;杨梧
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
本田一尊 ;
佐藤慎 ;
上野惠子 ;
小关裕太 .
中国专利 :CN110582840A ,2019-12-17
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
松原宽明 ;
近井智哉 ;
石堂仁则 ;
中村卓 ;
本多广一 ;
出町浩 ;
熊谷欣一 ;
作元祥太朗 ;
渡边真司 ;
细山田澄和 ;
中村慎吾 ;
宫腰武 ;
岩崎俊宽 ;
玉川道昭 .
日本专利 :CN110517964B ,2024-04-30
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
松原宽明 ;
近井智哉 ;
石堂仁则 ;
中村卓 ;
本多广一 ;
出町浩 ;
熊谷欣一 ;
作元祥太朗 ;
渡边真司 ;
细山田澄和 ;
中村慎吾 ;
宫腰武 ;
岩崎俊宽 ;
玉川道昭 .
中国专利 :CN110517964A ,2019-11-29
[4]
半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法 [P]. 
吉田宗博 .
中国专利 :CN105895601A ,2016-08-24
[5]
半导体芯片、半导体晶片及半导体装置及其制造方法 [P]. 
原一巳 .
中国专利 :CN1518105A ,2004-08-04
[6]
半导体装置及其制造方法及制造装置 [P]. 
黑泽哲也 ;
田久真也 ;
友野章 .
中国专利 :CN102610566B ,2012-07-25
[7]
半导体元件及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法 [P]. 
町田信夫 .
中国专利 :CN114868231A ,2022-08-05
[8]
半导体装置、半导体晶片及其制造方法 [P]. 
杨富量 ;
杨育佳 ;
陈宏玮 ;
曹训志 ;
胡正明 .
中国专利 :CN1773727A ,2006-05-17
[9]
半导体晶片、半导体装置及其制造方法 [P]. 
上田哲三 ;
石田昌宏 .
中国专利 :CN1467863A ,2004-01-14
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
八代辉彦 .
中国专利 :CN103545175A ,2014-01-29