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薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板

被引：0
申请号：
CN202210006580.X
申请日：
2022-01-05
公开(公告)号：
CN114388626A
公开(公告)日：
2022-04-22
发明(设计)人：
史文
申请人：
申请人地址：
510700 广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之417
IPC主分类号：
H01L29786
IPC分类号：
H01L2712 H01L2134
代理机构：
深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570
代理人：
王朝云
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-04-22 公开 公开
2022-05-10 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20220105
共 50 条
[1]
薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板 [P]. 
楼均辉 .
中国专利 :CN108172631A ,2018-06-15
[2]
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 [P]. 
黄杰 ;
贺家煜 ;
宁策 ;
李正亮 ;
胡合合 ;
刘凤娟 ;
姚念琦 ;
赵坤 ;
周天民 ;
王久石 ;
田忠朋 .
中国专利 :CN115152035A ,2022-10-04
[3]
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 [P]. 
黄杰 ;
贺家煜 ;
宁策 ;
李正亮 ;
胡合合 ;
刘凤娟 ;
姚念琦 ;
赵坤 ;
周天民 ;
王久石 ;
田忠朋 .
中国专利 :CN115152035B ,2025-03-04
[4]
薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P]. 
陈晓威 ;
汤永才 .
中国专利 :CN113192893B ,2024-03-12
[5]
薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P]. 
陈晓威 ;
汤永才 .
中国专利 :CN113192893A ,2021-07-30
[6]
薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板 [P]. 
卜呈浩 .
中国专利 :CN107482064B ,2017-12-15
[7]
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P]. 
田金鹏 ;
张毅先 ;
任思雨 ;
苏君海 ;
李建华 .
中国专利 :CN106601786A ,2017-04-26
[8]
金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P]. 
陈晓威 .
中国专利 :CN114678427A ,2022-06-28
[9]
一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板 [P]. 
阎长江 ;
龙君 ;
朱孝会 ;
谢振宇 ;
陈旭 .
中国专利 :CN104124277A ,2014-10-29
[10]
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 [P]. 
杜雷 .
中国专利 :CN103199114A ,2013-07-10
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