薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201611066990.4
申请日
2016-11-26
公开(公告)号
CN106601786A
公开(公告)日
2017-04-26
发明(设计)人
田金鹏 张毅先 任思雨 苏君海 李建华
申请人
申请人地址
516029 广东省惠州市仲恺高新区新华大道南1号
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2922 H01L2924 H01L29786 H01L21336
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
邓云鹏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P]. 
谢华飞 ;
陈书志 .
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[2]
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P]. 
贺家煜 ;
宁策 ;
李正亮 ;
胡合合 ;
黄杰 ;
赵坤 ;
姚念琦 .
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[3]
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 [P]. 
崔友朝 ;
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孙丹丹 ;
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[4]
薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制备方法 [P]. 
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谭志威 ;
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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梁学磊 ;
惠官宝 ;
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田博元 ;
严秋平 ;
彭练矛 .
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[10]
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周志超 ;
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