薄膜晶体管及阵列基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410644503.6

申请日：

2024-05-21

公开(公告)号：

CN121013381A

公开(公告)日：

2025-11-25

发明(设计)人：

乔磊袁旭刘美琪陈暄刘忠杰谭志威李昊

申请人：

TCL华星光电技术有限公司

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H01L23/58

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

高爽

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-25	公开	公开
2025-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/67申请日:20240521

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及阵列基板 [P].

乔磊 ;

周志超 ;

刘忠杰 ;

谭志威 .

中国专利 :CN222339883U ,2025-01-10

[2]

薄膜晶体管及阵列基板 [P].

罗成志 .

中国专利 :CN117525119A ,2024-02-06

[3]

薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板 [P].

吴伟 .

中国专利 :CN114300541A ,2022-04-08

[4]

薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

田金鹏 ;

张毅先 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN106601786A ,2017-04-26

[5]

薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

夏青 ;

柴立 .

中国专利 :CN109037348B ,2018-12-18

[6]

薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

谢华飞 ;

陈书志 .

中国专利 :CN109037349A ,2018-12-18

[7]

薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

王珂 ;

胡合合 .

中国专利 :CN106384714B ,2017-02-08

[8]

薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

刘家昌 ;

袁鑫 ;

曹曙光 ;

范文志 .

中国专利 :CN113097289A ,2021-07-09

[9]

薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

周志超 ;

夏慧 ;

陈梦 .

中国专利 :CN108155246A ,2018-06-12

[10]

薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 [P].

陈海晶 ;

王东方 ;

姜春生 .

中国专利 :CN103199113B ,2013-07-10

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