多层片式变阻器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310121403.3

申请日：

2003-12-16

公开(公告)号：

CN1508814A

公开(公告)日：

2004-06-30

发明(设计)人：

竹花末起一广濑修落合利明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01C710

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳;彭益群

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-06	授权	授权
2005-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-06-30	公开	公开

共 50 条

[1]

变阻器及其制造方法 [P].

东佳子 ;

古贺英一 .

中国专利 :CN113366590A ,2021-09-07

[2]

变阻器及其制造方法 [P].

东佳子 ;

古贺英一 .

中国专利 :CN111919268B ,2020-11-10

[3]

变阻器及其制造方法 [P].

篠田正义 ;

田边秀雄 .

中国专利 :CN101740187A ,2010-06-16

[4]

具有多层涂层的变阻器以及制造方法 [P].

杨文 ;

成浩 .

中国专利 :CN106688054B ,2017-05-17

[5]

具有多层涂层的变阻器以及制造方法 [P].

杨文 ;

成浩 ;

吴延安 .

中国专利 :CN106663510A ,2017-05-10

[6]

变阻器及制造变阻器的方法 [P].

金益燮 ;

金正逸 ;

金龙性 ;

金海仁 .

中国专利 :CN111223619B ,2020-06-02

[7]

变阻器钝化层及其制造方法 [P].

P.拉文德拉纳坦 ;

M.贝罗里尼 .

中国专利 :CN112424887B ,2021-02-26

[8]

变阻器的制造方法 [P].

阿克·奥贝里 ;

彼得·希德曼 ;

朗纳·奥斯特隆德 ;

莱夫·彼得松 .

中国专利 :CN101084559B ,2007-12-05

[9]

横向薄膜变阻器及其低温制造方法 [P].

J·P·噶比诺 ;

R·S·格拉夫 ;

S·曼达尔 .

中国专利 :CN105931961B ,2016-09-07

[10]

变阻器及制造方法 [P].

N·麦克洛克林 ;

M·奥多诺万 .

中国专利 :CN101331562A ,2008-12-24

← 1 2 3 4 5 →