变阻器钝化层及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980047478.0

申请日：

2019-07-17

公开(公告)号：

CN112424887B

公开(公告)日：

2021-02-26

发明(设计)人：

P.拉文德拉纳坦 M.贝罗里尼

申请人：

申请人地址：

美国南卡罗来纳州

IPC主分类号：

H01C710

IPC分类号：

H01C718 H01C7112 H01C1728 H01C1700 H01C17065

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邱军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-26	公开	公开
2022-03-04	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01C 7/10 变更事项:申请人变更前:阿维科斯公司变更后:京瓷AVX元器件公司变更事项:地址变更前:美国南卡罗来纳州变更后:美国南卡罗来纳州
2021-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01C 7/10 申请日:20190717
2022-11-22	授权	授权

共 50 条

[1]

包括钝化层的变阻器的制造 [P].

A·霍珀 ;

J·柯利 ;

D·麦克洛克林 .

中国专利 :CN101506912A ,2009-08-12

[2]

变阻器及其制造方法 [P].

东佳子 ;

古贺英一 .

中国专利 :CN113366590A ,2021-09-07

[3]

变阻器及其制造方法 [P].

东佳子 ;

古贺英一 .

中国专利 :CN111919268B ,2020-11-10

[4]

变阻器及其制造方法 [P].

篠田正义 ;

田边秀雄 .

中国专利 :CN101740187A ,2010-06-16

[5]

变阻器及制造变阻器的方法 [P].

金益燮 ;

金正逸 ;

金龙性 ;

金海仁 .

中国专利 :CN111223619B ,2020-06-02

[6]

多层片式变阻器及其制造方法 [P].

竹花末起一 ;

广濑修 ;

落合利明 .

中国专利 :CN1508814A ,2004-06-30

[7]

变阻器的制造方法 [P].

阿克·奥贝里 ;

彼得·希德曼 ;

朗纳·奥斯特隆德 ;

莱夫·彼得松 .

中国专利 :CN101084559B ,2007-12-05

[8]

横向薄膜变阻器及其低温制造方法 [P].

J·P·噶比诺 ;

R·S·格拉夫 ;

S·曼达尔 .

中国专利 :CN105931961B ,2016-09-07

[9]

变阻器及制造方法 [P].

N·麦克洛克林 ;

M·奥多诺万 .

中国专利 :CN101331562A ,2008-12-24

[10]

叠层变阻器、叠层变阻器的安装结构和变阻器组件 [P].

风间智 .

中国专利 :CN1767083A ,2006-05-03

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