发明(设计)人:
迈克尔A·海斯
郑骅
詹姆斯M·迪鲁特
邱钧
法律状态
| 1992-12-09 |
公开
| 公开 |
| 2002-12-25 |
授权
| 授权 |
| 2009-07-15 |
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
| 专利权的终止(未缴年费专利权终止) |
| 1994-09-07 |
实质审查请求的生效
| 实质审查请求的生效 |
共 50 条
[1]
激光二极管
[P].
中国专利 :CN1321488C ,2004-02-11 [2]
激光二极管
[P].
中国专利 :CN111108658B ,2020-05-05 [3]
激光二极管器件
[P].
中国专利 :CN102545036A ,2012-07-04 [5]
GaN衬底激光二极管
[P].
中国专利 :CN103812004A ,2014-05-21 [7]
激光二极管
[P].
中国专利 :CN114342194A ,2022-04-12 [8]
激光二极管
[P].
中国专利 :CN106340808A ,2017-01-18 [9]
激光二极管
[P].
张梓懿
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
旭化成株式会社
旭化成株式会社
张梓懿
;
久志本真希
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
旭化成株式会社
旭化成株式会社
久志本真希
;
天野浩
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
旭化成株式会社
旭化成株式会社
天野浩
.
日本专利 :CN114342194B ,2024-03-19 [10]
半导体激光二极管
[P].
中国专利 :CN101013794A ,2007-08-08