半导体激光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710007716.4

申请日：

2007-01-29

公开(公告)号：

CN101013794A

公开(公告)日：

2007-08-08

发明(设计)人：

曾我部隆一川口佳伸神川刚

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5028

IPC分类号：

H01S500

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-08-08	公开	公开
2022-04-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/028 登记生效日:20220402 变更事项:专利权人变更前权利人:夏普株式会社变更后权利人:夏普福山激光株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本广岛县福山市大门町旭1番地
2011-03-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾希勒 ;

克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 .

中国专利 :CN109390844A ,2019-02-26

[2]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

贝恩哈德·施托耶茨 .

德国专利 :CN113851932B ,2024-10-18

[3]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

贝恩哈德·施托耶茨 .

中国专利 :CN110140264B ,2019-08-16

[4]

半导体激光二极管 [P].

B.施托耶茨 ;

A.莱尔 ;

C.艾希勒 .

中国专利 :CN103701036B ,2014-04-02

[5]

半导体激光二极管 [P].

斯文·格哈德 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

艾尔弗雷德·莱尔 ;

贝恩哈德·施托耶茨 .

中国专利 :CN113851932A ,2021-12-28

[6]

半导体激光二极管 [P].

赵秀行 .

中国专利 :CN100463314C ,2005-11-23

[7]

半导体激光二极管 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

哈拉尔德·柯尼希 ;

乌韦·施特劳斯 ;

亚历山大·巴赫曼 .

中国专利 :CN103975490A ,2014-08-06

[8]

半导体激光二极管 [P].

沃尔夫冈·雷耶 .

中国专利 :CN109314369B ,2019-02-05

[9]

半导体激光二极管 [P].

A.巴赫曼 ;

C.劳尔 ;

M.富里奇 .

中国专利 :CN108604773B ,2018-09-28

[10]

半导体激光二极管 [P].

戴文长 ;

金宇中 ;

黄朝兴 .

中国专利 :CN117424068A ,2024-01-19

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