半导体激光二极管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310443054.0
申请日
2013-09-26
公开(公告)号
CN103701036B
公开(公告)日
2014-04-02
发明(设计)人
B.施托耶茨 A.莱尔 C.艾希勒
申请人
申请人地址
德国雷根斯堡
IPC主分类号
H01S514
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
张涛;刘春元
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾希勒 ;
克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 .
中国专利 :CN109390844A ,2019-02-26
[2]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
德国专利 :CN113851932B ,2024-10-18
[3]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN110140264B ,2019-08-16
[4]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN113851932A ,2021-12-28
[5]
半导体激光二极管 [P]. 
克里斯蒂安·劳尔 ;
哈拉尔德·柯尼希 ;
乌韦·施特劳斯 ;
亚历山大·巴赫曼 .
中国专利 :CN103975490A ,2014-08-06
[6]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN109478766A ,2019-03-15
[7]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
德国专利 :CN114243448B ,2024-08-02
[8]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN114243448A ,2022-03-25
[9]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN110770985B ,2020-02-07
[10]
半导体激光二极管,用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管装置 [P]. 
塞巴斯蒂安·特格尔 ;
亚历山大·巴赫曼 .
中国专利 :CN105830291A ,2016-08-03