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半导体激光二极管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201310443054.0
申请日
:
2013-09-26
公开(公告)号
:
CN103701036B
公开(公告)日
:
2014-04-02
发明(设计)人
:
B.施托耶茨
A.莱尔
C.艾希勒
申请人
:
申请人地址
:
德国雷根斯堡
IPC主分类号
:
H01S514
IPC分类号
:
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
张涛;刘春元
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-02-13
授权
授权
2014-04-30
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581899890 IPC(主分类):H01S 5/14 专利申请号:2013104430540 申请日:20130926
2014-04-02
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体激光二极管
[P].
斯文·格哈德
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斯文·格哈德
;
克里斯托夫·艾希勒
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克里斯托夫·艾希勒
;
克里斯蒂安·鲁姆博尔茨
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克里斯蒂安·鲁姆博尔茨
.
中国专利
:CN109390844A
,2019-02-26
[2]
半导体激光二极管
[P].
斯文·格哈德
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机构:
欧司朗光电半导体有限公司
欧司朗光电半导体有限公司
斯文·格哈德
;
克里斯托夫·艾克勒
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欧司朗光电半导体有限公司
欧司朗光电半导体有限公司
克里斯托夫·艾克勒
;
艾尔弗雷德·莱尔
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机构:
欧司朗光电半导体有限公司
欧司朗光电半导体有限公司
艾尔弗雷德·莱尔
;
贝恩哈德·施托耶茨
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机构:
欧司朗光电半导体有限公司
欧司朗光电半导体有限公司
贝恩哈德·施托耶茨
.
德国专利
:CN113851932B
,2024-10-18
[3]
半导体激光二极管
[P].
斯文·格哈德
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斯文·格哈德
;
克里斯托夫·艾克勒
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克里斯托夫·艾克勒
;
艾尔弗雷德·莱尔
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艾尔弗雷德·莱尔
;
贝恩哈德·施托耶茨
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贝恩哈德·施托耶茨
.
中国专利
:CN110140264B
,2019-08-16
[4]
半导体激光二极管
[P].
斯文·格哈德
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斯文·格哈德
;
克里斯托夫·艾克勒
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克里斯托夫·艾克勒
;
艾尔弗雷德·莱尔
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艾尔弗雷德·莱尔
;
贝恩哈德·施托耶茨
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贝恩哈德·施托耶茨
.
中国专利
:CN113851932A
,2021-12-28
[5]
半导体激光二极管
[P].
克里斯蒂安·劳尔
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克里斯蒂安·劳尔
;
哈拉尔德·柯尼希
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哈拉尔德·柯尼希
;
乌韦·施特劳斯
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乌韦·施特劳斯
;
亚历山大·巴赫曼
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亚历山大·巴赫曼
.
中国专利
:CN103975490A
,2014-08-06
[6]
半导体激光二极管
[P].
斯文·格哈德
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斯文·格哈德
;
克里斯托夫·艾克勒
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贝恩哈德·施托耶茨
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贝恩哈德·施托耶茨
.
中国专利
:CN109478766A
,2019-03-15
[7]
半导体激光二极管
[P].
斯文·格哈德
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机构:
欧司朗光电半导体有限公司
欧司朗光电半导体有限公司
斯文·格哈德
;
克里斯托夫·艾克勒
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欧司朗光电半导体有限公司
欧司朗光电半导体有限公司
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;
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欧司朗光电半导体有限公司
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艾尔弗雷德·莱尔
;
贝恩哈德·施托耶茨
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机构:
欧司朗光电半导体有限公司
欧司朗光电半导体有限公司
贝恩哈德·施托耶茨
.
德国专利
:CN114243448B
,2024-08-02
[8]
半导体激光二极管
[P].
斯文·格哈德
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斯文·格哈德
;
克里斯托夫·艾克勒
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贝恩哈德·施托耶茨
.
中国专利
:CN114243448A
,2022-03-25
[9]
半导体激光二极管
[P].
斯文·格哈德
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斯文·格哈德
;
克里斯托夫·艾克勒
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克里斯托夫·艾克勒
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贝恩哈德·施托耶茨
.
中国专利
:CN110770985B
,2020-02-07
[10]
半导体激光二极管,用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管装置
[P].
塞巴斯蒂安·特格尔
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塞巴斯蒂安·特格尔
;
亚历山大·巴赫曼
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亚历山大·巴赫曼
.
中国专利
:CN105830291A
,2016-08-03
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