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半导体激光二极管

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201780043871.3
申请日：
2017-07-12
公开(公告)号：
CN109478766A
公开(公告)日：
2019-03-15
发明(设计)人：
斯文·格哈德 克里斯托夫·艾克勒 艾尔弗雷德·莱尔 贝恩哈德·施托耶茨
申请人：
申请人地址：
德国雷根斯堡
IPC主分类号：
H01S510
IPC分类号：
H01S522 H01S5323
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
丁永凡;张春水
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-03-15 公开 公开
2021-03-12 授权 授权
2019-04-09 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/10 申请日:20170712
共 50 条
[1]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾希勒 ;
克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 .
中国专利 :CN109390844A ,2019-02-26
[2]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
德国专利 :CN113851932B ,2024-10-18
[3]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN110140264B ,2019-08-16
[4]
半导体激光二极管 [P]. 
B.施托耶茨 ;
A.莱尔 ;
C.艾希勒 .
中国专利 :CN103701036B ,2014-04-02
[5]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN113851932A ,2021-12-28
[6]
半导体激光二极管 [P]. 
克里斯蒂安·劳尔 ;
哈拉尔德·柯尼希 ;
乌韦·施特劳斯 ;
亚历山大·巴赫曼 .
中国专利 :CN103975490A ,2014-08-06
[7]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
德国专利 :CN114243448B ,2024-08-02
[8]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN114243448A ,2022-03-25
[9]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN110770985B ,2020-02-07
[10]
半导体激光二极管，用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管装置 [P]. 
塞巴斯蒂安·特格尔 ;
亚历山大·巴赫曼 .
中国专利 :CN105830291A ,2016-08-03
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