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半导体激光二极管

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201780036897.5
申请日：
2017-05-31
公开(公告)号：
CN109314369B
公开(公告)日：
2019-02-05
发明(设计)人：
沃尔夫冈·雷耶
申请人：
申请人地址：
德国雷根斯堡
IPC主分类号：
H01S5042
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
丁永凡;张春水
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-03-05 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/042 申请日:20170531
2019-02-05 公开 公开
2021-01-15 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾希勒 ;
克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 .
中国专利 :CN109390844A ,2019-02-26
[2]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
德国专利 :CN113851932B ,2024-10-18
[3]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN110140264B ,2019-08-16
[4]
半导体激光二极管 [P]. 
B.施托耶茨 ;
A.莱尔 ;
C.艾希勒 .
中国专利 :CN103701036B ,2014-04-02
[5]
半导体激光二极管 [P]. 
斯文·格哈德 ;
克里斯托夫·艾克勒 ;
艾尔弗雷德·莱尔 ;
贝恩哈德·施托耶茨 .
中国专利 :CN113851932A ,2021-12-28
[6]
半导体激光二极管 [P]. 
赵秀行 .
中国专利 :CN100463314C ,2005-11-23
[7]
半导体激光二极管 [P]. 
克里斯蒂安·劳尔 ;
哈拉尔德·柯尼希 ;
乌韦·施特劳斯 ;
亚历山大·巴赫曼 .
中国专利 :CN103975490A ,2014-08-06
[8]
半导体激光二极管 [P]. 
曾我部隆一 ;
川口佳伸 ;
神川刚 .
中国专利 :CN101013794A ,2007-08-08
[9]
半导体激光二极管 [P]. 
A.巴赫曼 ;
C.劳尔 ;
M.富里奇 .
中国专利 :CN108604773B ,2018-09-28
[10]
半导体激光二极管 [P]. 
戴文长 ;
金宇中 ;
黄朝兴 .
中国专利 :CN117424068A ,2024-01-19
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