适用于低电压非易失性存储器的读取及擦除验证方法及电路

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专利类型
发明
申请号
CN200480013450.9
申请日
2004-04-08
公开(公告)号
CN1791941A
公开(公告)日
2006-06-21
发明(设计)人
陈健 坎德克尔·N·夸德尔
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
G11C1156
IPC分类号
G11C514 G11C706 G11C1626
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人
刘国伟
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
适用于非易失性存储器的电压选择电路 [P]. 
唐明华 ;
谭彩虹 ;
肖永光 ;
燕少安 ;
李刚 ;
李正 .
中国专利 :CN112331245B ,2021-02-05
[2]
非易失性存储器的擦除验证 [P]. 
J·莱特 ;
C·达文波特 ;
L·E·小卢西亚尼 .
美国专利 :CN119559988A ,2025-03-04
[3]
读取电路及非易失性存储器 [P]. 
蔡晓波 ;
任建军 .
中国专利 :CN113257322A ,2021-08-13
[4]
非易失性存储器的数据读取方法、电路及非易失性存储器 [P]. 
杨翼 ;
倪昊 ;
周世聪 ;
殷常伟 ;
赵子健 .
中国专利 :CN105097031A ,2015-11-25
[5]
非易失性存储器中的经分割擦除及擦除验证 [P]. 
伊藤文利 .
中国专利 :CN101584005A ,2009-11-18
[6]
具有在低电压下操作的读取电路的非易失性存储器 [P]. 
D·曼弗雷 ;
L·卡佩奇 ;
M·卡里希米 ;
M·帕索蒂 .
:CN112151093B ,2025-08-22
[7]
具有在低电压下操作的读取电路的非易失性存储器 [P]. 
D·曼弗雷 ;
L·卡佩奇 ;
M·卡里希米 ;
M·帕索蒂 .
中国专利 :CN112151093A ,2020-12-29
[8]
用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器 [P]. 
许延华 ;
陈艳 ;
白俊峰 ;
孟颖 ;
李欢 .
中国专利 :CN116758963B ,2024-05-14
[9]
非易失性存储器的擦除-验证处理 [P]. 
格里特.J.赫明克 ;
李世俊 ;
三轮达 ;
方家荣 ;
万钧 ;
大和田健 .
中国专利 :CN102099867A ,2011-06-15
[10]
读取电路及非易失性存储器器件 [P]. 
G·卡姆帕尔多 ;
S·波利兹 .
中国专利 :CN206489880U ,2017-09-12