具有在低电压下操作的读取电路的非易失性存储器

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专利类型
发明
申请号
CN202010582807.6
申请日
2020-06-23
公开(公告)号
CN112151093A
公开(公告)日
2020-12-29
发明(设计)人
D·曼弗雷 L·卡佩奇 M·卡里希米 M·帕索蒂
申请人
申请人地址
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号
G11C1300
IPC分类号
G11C714
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
董莘
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
具有在低电压下操作的读取电路的非易失性存储器 [P]. 
D·曼弗雷 ;
L·卡佩奇 ;
M·卡里希米 ;
M·帕索蒂 .
:CN112151093B ,2025-08-22
[2]
非易失性存储器设备和电压生成器电路 [P]. 
D·曼弗雷 ;
L·卡佩奇 ;
M·卡里希米 ;
M·帕索蒂 .
中国专利 :CN213459059U ,2021-06-15
[3]
读取电路及非易失性存储器器件 [P]. 
G·卡姆帕尔多 ;
S·波利兹 .
中国专利 :CN206489880U ,2017-09-12
[4]
用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器 [P]. 
张永伟 .
中国专利 :CN119360906A ,2025-01-24
[5]
用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器 [P]. 
张永伟 .
中国专利 :CN119360906B ,2025-04-18
[6]
在电路之间具有存储器阵列的非易失性存储器 [P]. 
D·杜塔 ;
J·凯 ;
J·阿尔斯迈耶 ;
陈建 .
中国专利 :CN114765045A ,2022-07-19
[7]
非易失性存储器及其读取电路 [P]. 
杨光军 .
中国专利 :CN102044299B ,2011-05-04
[8]
读取电路及非易失性存储器 [P]. 
蔡晓波 ;
任建军 .
中国专利 :CN113257322A ,2021-08-13
[9]
适用于低电压非易失性存储器的读取及擦除验证方法及电路 [P]. 
陈健 ;
坎德克尔·N·夸德尔 .
中国专利 :CN1791941A ,2006-06-21
[10]
用于读取非易失性存储器器件的存储器单元的电路和方法 [P]. 
G·卡姆帕尔多 ;
S·波利兹 .
中国专利 :CN107180652A ,2017-09-19