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具有在低电压下操作的读取电路的非易失性存储器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010582807.6
申请日
:
2020-06-23
公开(公告)号
:
CN112151093A
公开(公告)日
:
2020-12-29
发明(设计)人
:
D·曼弗雷
L·卡佩奇
M·卡里希米
M·帕索蒂
申请人
:
申请人地址
:
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号
:
G11C1300
IPC分类号
:
G11C714
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
董莘
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-01-15
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 13/00 申请日:20200623
2020-12-29
公开
公开
共 50 条
[1]
具有在低电压下操作的读取电路的非易失性存储器
[P].
D·曼弗雷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
D·曼弗雷
;
L·卡佩奇
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
L·卡佩奇
;
M·卡里希米
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
M·卡里希米
;
M·帕索蒂
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
意法半导体股份有限公司
意法半导体股份有限公司
M·帕索蒂
.
:CN112151093B
,2025-08-22
[2]
非易失性存储器设备和电压生成器电路
[P].
D·曼弗雷
论文数:
0
引用数:
0
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0
D·曼弗雷
;
L·卡佩奇
论文数:
0
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0
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0
L·卡佩奇
;
M·卡里希米
论文数:
0
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0
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0
M·卡里希米
;
M·帕索蒂
论文数:
0
引用数:
0
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0
M·帕索蒂
.
中国专利
:CN213459059U
,2021-06-15
[3]
读取电路及非易失性存储器器件
[P].
G·卡姆帕尔多
论文数:
0
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0
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0
G·卡姆帕尔多
;
S·波利兹
论文数:
0
引用数:
0
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0
S·波利兹
.
中国专利
:CN206489880U
,2017-09-12
[4]
用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器
[P].
张永伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
昕原半导体(上海)有限公司
昕原半导体(上海)有限公司
张永伟
.
中国专利
:CN119360906A
,2025-01-24
[5]
用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器
[P].
张永伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
昕原半导体(上海)有限公司
昕原半导体(上海)有限公司
张永伟
.
中国专利
:CN119360906B
,2025-04-18
[6]
在电路之间具有存储器阵列的非易失性存储器
[P].
D·杜塔
论文数:
0
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0
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0
D·杜塔
;
J·凯
论文数:
0
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0
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0
J·凯
;
J·阿尔斯迈耶
论文数:
0
引用数:
0
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0
J·阿尔斯迈耶
;
陈建
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈建
.
中国专利
:CN114765045A
,2022-07-19
[7]
非易失性存储器及其读取电路
[P].
杨光军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨光军
.
中国专利
:CN102044299B
,2011-05-04
[8]
读取电路及非易失性存储器
[P].
蔡晓波
论文数:
0
引用数:
0
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0
蔡晓波
;
任建军
论文数:
0
引用数:
0
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0
任建军
.
中国专利
:CN113257322A
,2021-08-13
[9]
适用于低电压非易失性存储器的读取及擦除验证方法及电路
[P].
陈健
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈健
;
坎德克尔·N·夸德尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
坎德克尔·N·夸德尔
.
中国专利
:CN1791941A
,2006-06-21
[10]
用于读取非易失性存储器器件的存储器单元的电路和方法
[P].
G·卡姆帕尔多
论文数:
0
引用数:
0
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0
G·卡姆帕尔多
;
S·波利兹
论文数:
0
引用数:
0
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0
S·波利兹
.
中国专利
:CN107180652A
,2017-09-19
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