以含贵重气体的双等离子体氮化法增进CMOS氮氧化硅栅介电层效能的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780027568.0

申请日：

2007-08-02

公开(公告)号：

CN101490808A

公开(公告)日：

2009-07-22

发明(设计)人：

克里斯托弗·奥尔森

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003946693 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2007800275680 公开日:20090722
2009-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅与氮氧化硅的等离子体处理 [P].

马修·斯科特·罗杰斯 .

中国专利 :CN103329259A ,2013-09-25

[2]

以多退火步骤形成氮氧化硅栅极介电层的方法 [P].

C·S·奥尔森 .

中国专利 :CN101416286B ,2009-04-22

[3]

超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法 [P].

陈启群 ;

李资良 ;

陈世昌 .

中国专利 :CN1195317C ,2003-12-31

[4]

以软性含氮等离子体来形成超薄栅介电层的方法 [P].

骆统 ;

林经祥 ;

黄燿林 .

中国专利 :CN1209796C ,2003-08-06

[5]

以微波等离子体生产介电层的设备和方法 [P].

A·葛史汪纳 ;

W·勒奇 ;

Z·内涅伊 ;

T·泰勒 .

中国专利 :CN102160141B ,2011-08-17

[6]

使用调幅射频能量的栅极介电层的等离子体氮化方法和设备 [P].

P·A·克洛斯 ;

T·C·蔡 .

中国专利 :CN100461341C ,2006-06-28

[7]

提高超薄等离子体氮氧化硅电性测试准确性的方法 [P].

郭佳衢 .

中国专利 :CN100461362C ,2007-03-28

[8]

利用等离子体原子层沉积法的氮化硅薄膜的制造方法 [P].

张世珍 ;

李相道 ;

赵晟佑 ;

金成基 ;

杨炳日 ;

昔壮衒 ;

李相益 ;

金铭云 .

中国专利 :CN107923041A ,2018-04-17

[9]

利用等离子体原子层沉积法的氮化硅薄膜的制备方法 [P].

张世珍 ;

李相道 ;

朴重进 ;

金成基 ;

杨炳日 ;

朴建柱 ;

朴廷主 ;

昔壮炫 ;

李相益 ;

金铭云 .

中国专利 :CN109478497A ,2019-03-15

[10]

具有被覆盖以介电层的电极的等离子体显示面板 [P].

宋正锡 ;

金基东 ;

秋成勋 ;

金俊亨 ;

金相贤 ;

李普远 .

中国专利 :CN101047093A ,2007-10-03

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