以多退火步骤形成氮氧化硅栅极介电层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780012443.0

申请日：

2007-03-30

公开(公告)号：

CN101416286B

公开(公告)日：

2009-04-22

发明(设计)人：

C·S·奥尔森

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆嘉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-22	公开	公开
2011-12-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101256312664 IPC(主分类):H01L 21/31 专利申请号:2007800124430 变更事项:申请人变更前:应用材料股份有限公司变更后:应用材料公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州
2012-12-12	授权	授权

共 50 条

[1]

超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法 [P].

陈启群 ;

李资良 ;

陈世昌 .

中国专利 :CN1195317C ,2003-12-31

[2]

氮氧化硅栅极电介质的形成方法 [P].

何永根 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101488454A ,2009-07-22

[3]

形成氮氧化硅层的方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN102479672B ,2012-05-30

[4]

具有氮氧化硅栅极到栅极电介质层的存储堆叠体及其形成方法 [P].

肖莉红 .

中国专利 :CN110114879B ,2019-08-09

[5]

形成栅极介电层的方法 [P].

尹哲镇 .

中国专利 :CN100477167C ,2007-06-20

[6]

一种氮氧化硅栅氧化层制造方法 [P].

高伟辉 ;

陆肇勇 .

中国专利 :CN102122614A ,2011-07-13

[7]

以含贵重气体的双等离子体氮化法增进CMOS氮氧化硅栅介电层效能的方法 [P].

克里斯托弗·奥尔森 .

中国专利 :CN101490808A ,2009-07-22

[8]

在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法 [P].

傅焕松 ;

谢永明 ;

罗仕洲 .

中国专利 :CN1431688A ,2003-07-23

[9]

形成氮氧化硅的方法 [P].

汪钉崇 .

中国专利 :CN1614754A ,2005-05-11

[10]

制作双层栅极介电层的方法 [P].

郑博伦 ;

程立伟 .

中国专利 :CN1825547A ,2006-08-30

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