氮氧化硅栅极电介质的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810032608.7

申请日：

2008-01-14

公开(公告)号：

CN101488454A

公开(公告)日：

2009-07-22

发明(设计)人：

何永根郭佳衢

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L2131 H01L21314 H01L213105 H01L2951

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陆嘉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183793102 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2008100326087 公开日:20090722
2009-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

具有氮氧化硅栅极到栅极电介质层的存储堆叠体及其形成方法 [P].

肖莉红 .

中国专利 :CN110114879B ,2019-08-09

[2]

一种氮氧化硅栅氧化层制造方法 [P].

高伟辉 ;

陆肇勇 .

中国专利 :CN102122614A ,2011-07-13

[3]

具有氮化硅栅极到栅极电介质层的存储堆叠体及其形成方法 [P].

肖莉红 .

中国专利 :CN110114880B ,2019-08-09

[4]

制造氮化氧化硅栅极介质的方法 [P].

J·S·伯纳姆 ;

J·S·纳科斯 ;

J·J·昆利万 ;

B·小罗克 ;

S·M·尚克 ;

B·A·沃德 .

中国专利 :CN1894781B ,2007-01-10

[5]

多晶硅栅极的形成方法 [P].

张松 .

中国专利 :CN108269739B ,2018-07-10

[6]

氮氧化硅膜的形成方法 [P].

松浦广行 .

中国专利 :CN1891859B ,2007-01-10

[7]

带有氮掺杂的高-K电介质和二氧化硅的多晶硅栅极 [P].

黄靖谦 ;

邱盈翰 ;

王琳松 .

中国专利 :CN102820329A ,2012-12-12

[8]

多晶硅栅极的形成方法 [P].

樊杨 ;

肖莉 ;

孟增 .

中国专利 :CN103377901A ,2013-10-30

[9]

以多退火步骤形成氮氧化硅栅极介电层的方法 [P].

C·S·奥尔森 .

中国专利 :CN101416286B ,2009-04-22

[10]

形成氮氧化硅的方法 [P].

汪钉崇 .

中国专利 :CN1614754A ,2005-05-11

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