带有氮掺杂的高-K电介质和二氧化硅的多晶硅栅极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110343934.1

申请日：

2011-11-02

公开(公告)号：

CN102820329A

公开(公告)日：

2012-12-12

发明(设计)人：

黄靖谦邱盈翰王琳松

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2951 H01L2128

代理机构：

北京德恒律师事务所 11306

代理人：

陆鑫;高雪琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	授权	授权
2012-12-12	公开	公开
2013-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101389919964 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2011103439341 申请日:20111102

共 50 条

[1]

氮氧化硅栅极电介质的形成方法 [P].

何永根 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101488454A ,2009-07-22

[2]

多晶硅生产中的二氧化硅回收装置 [P].

王忠群 ;

涂夏明 ;

唐明元 ;

王绍祖 ;

张羽超 ;

刘宝林 .

中国专利 :CN203428923U ,2014-02-12

[3]

多晶硅生产中的二氧化硅储存装置 [P].

涂夏明 ;

王忠群 ;

唐明元 ;

王绍祖 .

中国专利 :CN203512428U ,2014-04-02

[4]

多晶硅生产中的二氧化硅包装系统 [P].

唐明元 ;

王忠群 ;

涂夏明 ;

王绍祖 ;

姜静 ;

屈杰 ;

蒙敏 .

中国专利 :CN203512069U ,2014-04-02

[5]

集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和制备方法 [P].

关天鹏 ;

刘珩 ;

杨志刚 ;

冷江华 .

中国专利 :CN113140624A ,2021-07-20

[6]

在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置 [P].

孙巍泉 .

中国专利 :CN212750913U ,2021-03-19

[7]

高纯度二氧化硅与冶金级多晶硅的制法 [P].

丁原杰 ;

曾忠璿 .

中国专利 :CN101397138B ,2009-04-01

[8]

一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜层的方法 [P].

李浩业 ;

彭宇飞 ;

孙昌 .

中国专利 :CN107863296A ,2018-03-30

[9]

二氧化硅颗粒和二氧化硅颗粒的制造方法 [P].

加藤怜实 ;

平野义宏 ;

木村将也 ;

河本宗范 ;

夫马康博 ;

三木万海 .

日本专利 :CN120035564A ,2025-05-23

[10]

硅藻土负载的氮掺杂二氧化钛/二氧化硅光催化涂料 [P].

郑玉婴 ;

林卓哲 .

中国专利 :CN108250808B ,2018-07-06

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