形成氮氧化硅层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010555454.7

申请日：

2010-11-22

公开(公告)号：

CN102479672B

公开(公告)日：

2012-05-30

发明(设计)人：

李敏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21314 C23C16455 C23C1630

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101294709714 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105554547 申请日:20101122
2013-10-23	授权	授权
2012-05-30	公开	公开
2012-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101487567377 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105554547 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121116

共 50 条

[1]

形成氮氧化硅的方法 [P].

汪钉崇 .

中国专利 :CN1614754A ,2005-05-11

[2]

SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法 [P].

杨欣 ;

孙勤 .

中国专利 :CN101930914A ,2010-12-29

[3]

在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法 [P].

傅焕松 ;

谢永明 ;

罗仕洲 .

中国专利 :CN1431688A ,2003-07-23

[4]

形成氮氧化硅膜的方法和具有由此形成的氮氧化硅膜的衬底 [P].

N·申德 ;

长原达郎 ;

高野祐辅 .

中国专利 :CN103702933A ,2014-04-02

[5]

氮氧化硅膜的形成方法 [P].

松浦广行 .

中国专利 :CN1891859B ,2007-01-10

[6]

用于形成金属氧化硅和金属氮氧化硅层的方法和系统 [P].

吉田嵩志 ;

R.韦鲁特 .

中国专利 :CN114121602A ,2022-03-01

[7]

碳氮氧化硅膜的形成方法 [P].

铃木启介 ;

门永健太郎 ;

李丙勲 ;

李殷祚 ;

孙成德 ;

张宰赫 ;

朴度炫 .

中国专利 :CN103187268B ,2013-07-03

[8]

一种氮氧化硅栅氧化层制造方法 [P].

高伟辉 ;

陆肇勇 .

中国专利 :CN102122614A ,2011-07-13

[9]

去除氮氧化硅膜的方法 [P].

刘轩 ;

杨永刚 .

中国专利 :CN101656191B ,2010-02-24

[10]

氮氧化硅栅极电介质的形成方法 [P].

何永根 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101488454A ,2009-07-22

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