碳氮氧化硅膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210581126.3

申请日：

2012-12-27

公开(公告)号：

CN103187268B

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

铃木启介门永健太郎李丙勲李殷祚孙成德张宰赫朴度炫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21314

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583140613 IPC(主分类):H01L 21/314 专利申请号:2012105811263 申请日:20121227
2013-07-03	公开	公开
2016-10-05	授权	授权

共 50 条

[1]

氮氧化硅膜的形成方法 [P].

松浦广行 .

中国专利 :CN1891859B ,2007-01-10

[2]

形成氮氧化硅膜的方法和具有由此形成的氮氧化硅膜的衬底 [P].

N·申德 ;

长原达郎 ;

高野祐辅 .

中国专利 :CN103702933A ,2014-04-02

[3]

形成氮氧化硅的方法 [P].

汪钉崇 .

中国专利 :CN1614754A ,2005-05-11

[4]

形成氮氧化硅层的方法 [P].

李敏 .

中国专利 :CN102479672B ,2012-05-30

[5]

氮氧化硅膜及其形成方法以及半导体器件 [P].

安东靖典 ;

高桥英治 ;

藤原将喜 .

中国专利 :CN103098187A ,2013-05-08

[6]

去除氮氧化硅膜的方法 [P].

刘轩 ;

杨永刚 .

中国专利 :CN101656191B ,2010-02-24

[7]

氮氧化硅栅极电介质的形成方法 [P].

何永根 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101488454A ,2009-07-22

[8]

在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法 [P].

傅焕松 ;

谢永明 ;

罗仕洲 .

中国专利 :CN1431688A ,2003-07-23

[9]

SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法 [P].

杨欣 ;

孙勤 .

中国专利 :CN101930914A ,2010-12-29

[10]

去除氮氧化硅膜残留物的方法 [P].

傅俊 ;

赖海长 ;

张海青 ;

王智东 ;

冯森茂 .

中国专利 :CN101989545A ,2011-03-23

← 1 2 3 4 5 →