氮氧化硅膜及其形成方法以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080069030.8

申请日：

2010-12-08

公开(公告)号：

CN103098187A

公开(公告)日：

2013-05-08

发明(设计)人：

安东靖典高桥英治藤原将喜

申请人：

申请人地址：

日本京都府京都市右京区梅津高亩町47番地

IPC主分类号：

H01L21318

IPC分类号：

H01L21336 H01L29786

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

臧建明

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-09	授权	授权
2013-05-08	公开	公开
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101468537259 IPC(主分类):H01L 21/318 专利申请号:2010800690308 申请日:20101208

共 50 条

[1]

氧化硅膜的形成方法、氧化硅膜、半导体器件、以及半导体器件的制造方法 [P].

上田博一 ;

田中义伸 ;

大泽佑介 ;

野沢俊久 ;

松冈孝明 .

中国专利 :CN102027580A ,2011-04-20

[2]

氮氧化硅膜的形成方法 [P].

松浦广行 .

中国专利 :CN1891859B ,2007-01-10

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

黄胜男 ;

曹开玮 ;

李赟 .

中国专利 :CN110459462A ,2019-11-15

[4]

碳氮氧化硅膜的形成方法 [P].

铃木启介 ;

门永健太郎 ;

李丙勲 ;

李殷祚 ;

孙成德 ;

张宰赫 ;

朴度炫 .

中国专利 :CN103187268B ,2013-07-03

[5]

氮氧化硅膜层的制作方法及半导体器件 [P].

陈亚威 ;

简志宏 .

中国专利 :CN119332224A ,2025-01-21

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

林侑立 ;

廖志腾 ;

谢瑞夫 ;

郑志玄 ;

翁子展 .

中国专利 :CN113539819B ,2025-12-30

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

林侑立 ;

廖志腾 ;

谢瑞夫 ;

郑志玄 ;

翁子展 .

中国专利 :CN113539819A ,2021-10-22

[8]

半导体结构及其形成方法、以及半导体器件 [P].

毛乾君 ;

费春潮 ;

王亚平 ;

朱雅莉 .

中国专利 :CN117457608A ,2024-01-26

[9]

半导体结构及其形成方法以及半导体器件 [P].

张文广 .

中国专利 :CN115966509B ,2025-10-28

[10]

形成氮氧化硅膜的方法和具有由此形成的氮氧化硅膜的衬底 [P].

N·申德 ;

长原达郎 ;

高野祐辅 .

中国专利 :CN103702933A ,2014-04-02

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