氧化硅膜的形成方法、氧化硅膜、半导体器件、以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980117522.7

申请日：

2009-05-11

公开(公告)号：

CN102027580A

公开(公告)日：

2011-04-20

发明(设计)人：

上田博一田中义伸大泽佑介野沢俊久松冈孝明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2131 H01L2176 H01L21768 H01L218247 H01L23522 H01L27115 H01L2978 H01L29788 H01L29792

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

王安武

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体器件制造中高品质氧化硅膜的低温形成 [P].

凯文·M·麦克劳克林 ;

阿米特·法尔克亚 ;

卡普·瑟里什·雷迪 .

中国专利 :CN109791870A ,2019-05-21

[2]

膜形成方法、半导体器件和显示器件及其制造方法 [P].

后藤真志 ;

东和文 ;

中田行彦 .

中国专利 :CN1570204A ,2005-01-26

[3]

氮氧化硅膜及其形成方法以及半导体器件 [P].

安东靖典 ;

高桥英治 ;

藤原将喜 .

中国专利 :CN103098187A ,2013-05-08

[4]

氧化硅膜的形成方法及半导体装置的制造方法 [P].

小林岳志 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN100587922C ,2007-08-01

[5]

硅氧化膜的成膜方法和半导体器件的制造方法 [P].

上田博一 ;

大泽佑介 ;

田中义伸 .

中国专利 :CN102326236A ,2012-01-18

[6]

半导体膜、半导体膜的制造方法、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

牧田直树 ;

岩井道记 ;

森野慎也 ;

堤隆之 .

中国专利 :CN100345309C ,2004-05-26

[7]

氮氧化硅膜层的制作方法及半导体器件 [P].

陈亚威 ;

简志宏 .

中国专利 :CN119332224A ,2025-01-21

[8]

半导体膜的形成方法、半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

薮田久人 ;

加地信幸 ;

林享 .

中国专利 :CN102341912B ,2015-12-02

[9]

形成氮化硅钝化膜的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

住吉和英 ;

冈田政也 ;

井上和孝 ;

米村卓巳 .

中国专利 :CN112447536A ,2021-03-05

[10]

制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

增田健良 .

中国专利 :CN101336473A ,2008-12-31

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077296779 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2009801175227 申请日:20090511
2011-04-20	公开	公开
2014-04-16	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101581386345 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2009801175227 放弃生效日:20110420