硅氧化膜的成膜方法和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980157258.X

申请日：

2009-12-10

公开(公告)号：

CN102326236A

公开(公告)日：

2012-01-18

发明(设计)人：

上田博一大泽佑介田中义伸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-18	公开	公开
2012-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101197913118 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:200980157258X 申请日:20091210
2014-04-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回申请公布日:20120118 号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101699760951 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:200980157258X

共 50 条

[1]

氧化硅膜的形成方法、氧化硅膜、半导体器件、以及半导体器件的制造方法 [P].

上田博一 ;

田中义伸 ;

大泽佑介 ;

野沢俊久 ;

松冈孝明 .

中国专利 :CN102027580A ,2011-04-20

[2]

成膜方法和制造半导体器件的方法 [P].

永冈达司 ;

西中浩之 ;

森本尚太 ;

吉本昌広 .

中国专利 :CN110189981A ,2019-08-30

[3]

膜形成方法、半导体器件和显示器件及其制造方法 [P].

后藤真志 ;

东和文 ;

中田行彦 .

中国专利 :CN1570204A ,2005-01-26

[4]

半导体膜、半导体膜的制造方法、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

牧田直树 ;

岩井道记 ;

森野慎也 ;

堤隆之 .

中国专利 :CN100345309C ,2004-05-26

[5]

成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法 [P].

崔玄浩 .

中国专利 :CN110459486A ,2019-11-15

[6]

成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法 [P].

崔玄浩 .

韩国专利 :CN110459486B ,2024-02-20

[7]

钨膜的成膜方法和半导体器件的制造方法 [P].

堀田隼史 ;

饗场康 ;

前川浩治 .

中国专利 :CN104947064A ,2015-09-30

[8]

半导体器件场氧化膜的制造方法 [P].

朴仁玉 ;

朴兑允 .

中国专利 :CN1160286A ,1997-09-24

[9]

成膜方法、半导体器件的制造方法、成膜装置及程序 [P].

平祐树 .

日本专利 :CN118103960A ,2024-05-28

[10]

硅氧化膜用成膜原料及使用该原料的硅氧化膜的成膜方法 [P].

康松润 .

中国专利 :CN102804348A ,2012-11-28

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