钨膜的成膜方法和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510133979.4

申请日：

2015-03-25

公开(公告)号：

CN104947064A

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

堀田隼史饗场康前川浩治

申请人：

申请人地址：

日本，东京都

IPC主分类号：

C23C1614

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-13	授权	授权
2016-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101643946937 IPC(主分类):C23C 16/14 专利申请号:2015101339794 申请日:20150325
2015-09-30	公开	公开

共 50 条

[1]

成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法 [P].

崔玄浩 .

中国专利 :CN110459486A ,2019-11-15

[2]

成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法 [P].

崔玄浩 .

韩国专利 :CN110459486B ,2024-02-20

[3]

成膜方法和制造半导体器件的方法 [P].

永冈达司 ;

西中浩之 ;

森本尚太 ;

吉本昌広 .

中国专利 :CN110189981A ,2019-08-30

[4]

硅氧化膜的成膜方法和半导体器件的制造方法 [P].

上田博一 ;

大泽佑介 ;

田中义伸 .

中国专利 :CN102326236A ,2012-01-18

[5]

半导体膜、半导体膜的制造方法、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

牧田直树 ;

岩井道记 ;

森野慎也 ;

堤隆之 .

中国专利 :CN100345309C ,2004-05-26

[6]

半导体膜、半导体器件和用于制造半导体膜、半导体器件的方法 [P].

高山彻 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN100397556C ,2003-01-08

[7]

成膜设备和用于制造半导体器件的方法 [P].

永冈达司 ;

西中浩之 ;

吉本昌广 .

中国专利 :CN115704094A ,2023-02-17

[8]

成膜方法、半导体器件的制造方法、成膜装置及程序 [P].

平祐树 .

日本专利 :CN118103960A ,2024-05-28

[9]

半导体膜,半导体器件,和制造方法 [P].

宫入秀和 ;

志贺爱之 ;

野村克己 ;

牧田直树 ;

松尾拓哉 .

中国专利 :CN1412859A ,2003-04-23

[10]

半导体器件成膜方法 [P].

黄喆周 .

中国专利 :CN1226079A ,1999-08-18

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