成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910066321.4

申请日：

2019-01-24

公开(公告)号：

CN110459486A

公开(公告)日：

2019-11-15

发明(设计)人：

崔玄浩

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

C23C16455 H01L2102

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

李娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20190124
2019-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法 [P].

崔玄浩 .

韩国专利 :CN110459486B ,2024-02-20

[2]

成膜方法、半导体器件的制造方法、成膜装置及程序 [P].

平祐树 .

日本专利 :CN118103960A ,2024-05-28

[3]

成膜方法、半导体装置的制造方法、半导体装置和成膜装置 [P].

石坂忠大 ;

大岛康弘 ;

吉井直树 ;

重冈隆 ;

川村刚平 ;

福田幸夫 ;

小岛康彦 .

中国专利 :CN100405549C ,2005-12-07

[4]

成膜方法和制造半导体器件的方法 [P].

永冈达司 ;

西中浩之 ;

森本尚太 ;

吉本昌広 .

中国专利 :CN110189981A ,2019-08-30

[5]

钨膜的成膜方法和半导体器件的制造方法 [P].

堀田隼史 ;

饗场康 ;

前川浩治 .

中国专利 :CN104947064A ,2015-09-30

[6]

成膜方法和半导体装置的制造方法以及成膜装置 [P].

永冈达司 .

中国专利 :CN110029326A ,2019-07-19

[7]

半导体器件成膜方法 [P].

黄喆周 .

中国专利 :CN1226079A ,1999-08-18

[8]

成膜装置、成膜方法和半导体装置 [P].

佐藤强 ;

近藤弘康 ;

樱井直明 ;

添田胜之 ;

大城健一 ;

木村修一 .

中国专利 :CN102150234A ,2011-08-10

[9]

成膜装置、成膜方法及半导体装置的制造方法 [P].

近藤祐介 ;

山崎壮一 .

中国专利 :CN115110026A ,2022-09-27

[10]

成膜方法、成膜装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小宫隆行 .

中国专利 :CN102453886A ,2012-05-16

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