成膜设备和用于制造半导体器件的方法

被引：0

申请号：

CN202210973812.9

申请日：

2022-08-15

公开(公告)号：

CN115704094A

公开(公告)日：

2023-02-17

发明(设计)人：

永冈达司西中浩之吉本昌广

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C23C16448

IPC分类号：

C23C16455 H01L2167

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

王永建

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体膜、半导体器件和用于制造半导体膜、半导体器件的方法 [P].

高山彻 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN100397556C ,2003-01-08

[2]

成膜方法和制造半导体器件的方法 [P].

永冈达司 ;

西中浩之 ;

森本尚太 ;

吉本昌広 .

中国专利 :CN110189981A ,2019-08-30

[3]

成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法 [P].

崔玄浩 .

中国专利 :CN110459486A ,2019-11-15

[4]

成膜装置、成膜方法和制造半导体器件的方法 [P].

崔玄浩 .

韩国专利 :CN110459486B ,2024-02-20

[5]

半导体器件的制造方法和制造设备 [P].

冈村健司 ;

藤原秀二 ;

葛山贵生 .

中国专利 :CN1207579A ,1999-02-10

[6]

钨膜的成膜方法和半导体器件的制造方法 [P].

堀田隼史 ;

饗场康 ;

前川浩治 .

中国专利 :CN104947064A ,2015-09-30

[7]

半导体膜,半导体器件,和制造方法 [P].

宫入秀和 ;

志贺爱之 ;

野村克己 ;

牧田直树 ;

松尾拓哉 .

中国专利 :CN1412859A ,2003-04-23

[8]

半导体膜、半导体膜的制造方法、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

牧田直树 ;

岩井道记 ;

森野慎也 ;

堤隆之 .

中国专利 :CN100345309C ,2004-05-26

[9]

半导体器件制造设备和半导体器件制造方法 [P].

上野和良 .

中国专利 :CN1144274C ,1999-09-29

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件的制造设备 [P].

田久真也 ;

佐藤二尚 .

中国专利 :CN1269192C ,2004-09-01

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