硅氧化膜用成膜原料及使用该原料的硅氧化膜的成膜方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080024500.9

申请日：

2010-05-27

公开(公告)号：

CN102804348A

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

康松润

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

C23C1642

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	公开	公开
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383321300 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2010800245009 申请日:20100527
2015-07-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101718471766 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2010800245009 申请公布日:20121128

共 50 条

[1]

形成硅氧化膜的成膜方法和装置 [P].

长谷部一秀 ;

石田义弘 ;

藤田武彦 ;

小川淳 ;

中岛滋 .

中国专利 :CN101154589B ,2008-04-02

[2]

使用绝缘膜成膜用原料的成膜方法 [P].

高松勇吉 ;

米山岳夫 ;

十七里和昭 ;

副岛宜胜 ;

桐山晃二 ;

石井隆史 .

中国专利 :CN100530444C ,2005-06-01

[3]

氧化膜成膜方法及氧化膜成膜装置 [P].

织田容征 ;

白幡孝洋 ;

平松孝浩 .

中国专利 :CN103648974A ,2014-03-19

[4]

硅氧化膜的成膜方法和半导体器件的制造方法 [P].

上田博一 ;

大泽佑介 ;

田中义伸 .

中国专利 :CN102326236A ,2012-01-18

[5]

金属氧化膜的成膜 [P].

古屋治彦 .

中国专利 :CN101302608A ,2008-11-12

[6]

金属氧化膜的成膜方法、金属氧化膜及金属氧化膜的成膜装置 [P].

织田容征 ;

白幡孝洋 ;

吉田章男 ;

藤田静雄 ;

龟山直季 ;

川原村敏幸 .

中国专利 :CN102482777B ,2012-05-30

[7]

金属氧化膜的成膜方法、金属氧化膜及金属氧化膜的成膜装置 [P].

织田容征 ;

白幡孝洋 ;

吉田章男 ;

藤田静雄 ;

亀山直季 .

中国专利 :CN102405305A ,2012-04-04

[8]

硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成装置 [P].

池内俊之 ;

木村法史 ;

大部智行 .

中国专利 :CN104078386A ,2014-10-01

[9]

硅氧化膜的制造方法 [P].

田村辰也 ;

熊谷武司 .

中国专利 :CN104451598A ,2015-03-25

[10]

硅氧化膜的去除方法 [P].

长谷部一秀 ;

冈田充弘 ;

千叶贵司 ;

小川淳 .

中国专利 :CN100533683C ,2008-02-27

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