硅氧化膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410465415.6

申请日：

2014-09-12

公开(公告)号：

CN104451598A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

田村辰也熊谷武司

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

H01L2167 H01L21316

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 16/40 申请公布日:20150325
2015-03-25	公开	公开
2016-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658402650 IPC(主分类):C23C 16/40 专利申请号:2014104654156 申请日:20140912

共 50 条

[1]

形成硅氧化膜的成膜方法和装置 [P].

长谷部一秀 ;

石田义弘 ;

藤田武彦 ;

小川淳 ;

中岛滋 .

中国专利 :CN101154589B ,2008-04-02

[2]

硅氧化膜的形成方法、硅氧化膜的形成装置和程序 [P].

松浦广行 .

中国专利 :CN1881543A ,2006-12-20

[3]

硅氧化膜的去除方法 [P].

长谷部一秀 ;

冈田充弘 ;

千叶贵司 ;

小川淳 .

中国专利 :CN100533683C ,2008-02-27

[4]

硅氧化膜的成膜方法和半导体器件的制造方法 [P].

上田博一 ;

大泽佑介 ;

田中义伸 .

中国专利 :CN102326236A ,2012-01-18

[5]

硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成装置 [P].

池内俊之 ;

木村法史 ;

大部智行 .

中国专利 :CN104078386A ,2014-10-01

[6]

硅氧化膜的形成方法 [P].

松木安生 .

中国专利 :CN1297578A ,2001-05-30

[7]

硅氧化膜用成膜原料及使用该原料的硅氧化膜的成膜方法 [P].

康松润 .

中国专利 :CN102804348A ,2012-11-28

[8]

形成硅氧化膜的方法及装置 [P].

高京硕 ;

岛裕巳 ;

木镰英司 ;

铃木启介 ;

菱屋晋吾 .

中国专利 :CN109727843A ,2019-05-07

[9]

硅氧化膜的形成方法和装置 [P].

壁义郎 ;

中村秀雄 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN102165568A ,2011-08-24

[10]

SOI晶片的硅氧化膜形成方法 [P].

横川功 ;

能登宣彦 ;

山口进一 .

中国专利 :CN101730925A ,2010-06-09

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