硅氧化膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00800470.6

申请日：

2000-03-29

公开(公告)号：

CN1297578A

公开(公告)日：

2001-05-30

发明(设计)人：

松木安生

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L21312

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

魏金玺;杨丽琴

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-12-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2001-05-30	公开	公开

共 50 条

[1]

硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成装置 [P].

池内俊之 ;

木村法史 ;

大部智行 .

中国专利 :CN104078386A ,2014-10-01

[2]

硅氧化膜的形成方法、硅氧化膜的形成装置和程序 [P].

松浦广行 .

中国专利 :CN1881543A ,2006-12-20

[3]

硅氧化膜的形成方法及其形成装置 [P].

大部智行 ;

黑川昌毅 .

中国专利 :CN103526178A ,2014-01-22

[4]

硅氧化膜的形成方法和装置 [P].

壁义郎 ;

中村秀雄 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN102165568A ,2011-08-24

[5]

SOI晶片的硅氧化膜形成方法 [P].

横川功 ;

能登宣彦 ;

山口进一 .

中国专利 :CN101730925A ,2010-06-09

[6]

硅晶片的氧化膜形成方法 [P].

大槻刚 ;

户部敏视 ;

水泽康 .

中国专利 :CN102017098A ,2011-04-13

[7]

形成硅氧化膜的方法及装置 [P].

高京硕 ;

岛裕巳 ;

木镰英司 ;

铃木启介 ;

菱屋晋吾 .

中国专利 :CN109727843A ,2019-05-07

[8]

形成硅氧化膜的成膜方法和装置 [P].

长谷部一秀 ;

石田义弘 ;

藤田武彦 ;

小川淳 ;

中岛滋 .

中国专利 :CN101154589B ,2008-04-02

[9]

氧化膜形成方法 [P].

菱屋晋吾 ;

秋山浩二 ;

古泽纯和 ;

青木公也 .

中国专利 :CN1518760A ,2004-08-04

[10]

硅氧化膜用成膜原料及使用该原料的硅氧化膜的成膜方法 [P].

康松润 .

中国专利 :CN102804348A ,2012-11-28

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