硅氧化膜的形成方法、硅氧化膜的形成装置和程序

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610092209.0

申请日：

2006-06-14

公开(公告)号：

CN1881543A

公开(公告)日：

2006-12-20

发明(设计)人：

松浦广行

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

C23C1640 C23C16455

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101738620484 IPC(主分类):H01L 21/316 专利号:ZL2006100922090 申请日:20060614 授权公告日:20090408 终止日期:20160614
2006-12-20	公开	公开
2009-04-08	授权	授权
2008-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成装置 [P].

池内俊之 ;

木村法史 ;

大部智行 .

中国专利 :CN104078386A ,2014-10-01

[2]

硅氧化膜的形成方法和装置 [P].

壁义郎 ;

中村秀雄 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN102165568A ,2011-08-24

[3]

形成硅氧化膜的成膜方法和装置 [P].

长谷部一秀 ;

石田义弘 ;

藤田武彦 ;

小川淳 ;

中岛滋 .

中国专利 :CN101154589B ,2008-04-02

[4]

硅氧化膜的形成方法 [P].

松木安生 .

中国专利 :CN1297578A ,2001-05-30

[5]

硅氧化膜的形成方法及其形成装置 [P].

大部智行 ;

黑川昌毅 .

中国专利 :CN103526178A ,2014-01-22

[6]

SOI晶片的硅氧化膜形成方法 [P].

横川功 ;

能登宣彦 ;

山口进一 .

中国专利 :CN101730925A ,2010-06-09

[7]

形成硅氧化膜的方法及装置 [P].

高京硕 ;

岛裕巳 ;

木镰英司 ;

铃木启介 ;

菱屋晋吾 .

中国专利 :CN109727843A ,2019-05-07

[8]

硅晶片的氧化膜形成方法 [P].

大槻刚 ;

户部敏视 ;

水泽康 .

中国专利 :CN102017098A ,2011-04-13

[9]

硅氧化膜的形成方法、等离子体处理装置和存储介质 [P].

壁义郎 ;

小林岳志 ;

盐泽俊彦 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101517716A ,2009-08-26

[10]

硅氧化膜的形成方法和等离子体氧化处理装置 [P].

壁义郎 ;

大田尾修一郎 ;

佐藤吉宏 .

中国专利 :CN102714158A ,2012-10-03

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