硅氧化膜的形成方法、等离子体处理装置和存储介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780035987.9

申请日：

2007-09-28

公开(公告)号：

CN101517716A

公开(公告)日：

2009-08-26

发明(设计)人：

壁义郎小林岳志盐泽俊彦北川淳一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2704 H01L2176 H01L2978 H01L21822

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-08-26	公开	公开
2011-08-17	授权	授权
2015-11-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101633280009 IPC(主分类):H01L 21/316 专利号:ZL2007800359879 申请日:20070928 授权公告日:20110817 终止日期:20140928

共 50 条

[1]

硅氧化膜的形成方法，等离子体处理装置以及存储介质 [P].

小林岳志 ;

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101523577A ,2009-09-02

[2]

等离子体氧化处理方法、存储介质和等离子体处理装置 [P].

小林岳志 ;

北川淳一 ;

壁义郎 ;

盐泽俊彦 .

中国专利 :CN101523574A ,2009-09-02

[3]

等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质 [P].

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

小林岳志 ;

北川淳一 ;

伊佐和裕 .

中国专利 :CN101523576A ,2009-09-02

[4]

等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 [P].

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

小林岳志 ;

足立光 ;

北川淳一 ;

山本伸彦 .

中国专利 :CN101523575B ,2009-09-02

[5]

硅氧化膜的形成方法和等离子体氧化处理装置 [P].

壁义郎 ;

大田尾修一郎 ;

佐藤吉宏 .

中国专利 :CN102714158A ,2012-10-03

[6]

等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质 [P].

山涌纯 .

中国专利 :CN107452612A ,2017-12-08

[7]

等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 [P].

壁义郎 ;

小林岳志 ;

盐泽俊彦 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101652842B ,2010-02-17

[8]

等离子体氧化处理方法 [P].

堀胜 ;

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101405846A ,2009-04-08

[9]

等离子体处理方法、半导体基板以及等离子体处理装置 [P].

北川淳一 .

中国专利 :CN100429753C ,2006-03-15

[10]

绝缘膜的制造方法和等离子体处理装置 [P].

西田辰夫 ;

中西敏雄 ;

石塚修一 ;

中山友绘 ;

藤野丰 .

中国专利 :CN101151721B ,2008-03-26

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