等离子体氧化处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780009785.7

申请日：

2007-08-27

公开(公告)号：

CN101405846A

公开(公告)日：

2009-04-08

发明(设计)人：

堀胜盐泽俊彦壁义郎北川淳一

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2131 H01L2176

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101631629262 IPC(主分类):H01L 21/316 专利号:ZL2007800097857 申请日:20070827 授权公告日:20100929 终止日期:20140827
2009-04-08	公开	公开
2010-09-29	授权	授权
2009-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 [P].

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

小林岳志 ;

足立光 ;

北川淳一 ;

山本伸彦 .

中国专利 :CN101523575B ,2009-09-02

[2]

等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质 [P].

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

小林岳志 ;

北川淳一 ;

伊佐和裕 .

中国专利 :CN101523576A ,2009-09-02

[3]

等离子体氧化处理方法、存储介质和等离子体处理装置 [P].

小林岳志 ;

北川淳一 ;

壁义郎 ;

盐泽俊彦 .

中国专利 :CN101523574A ,2009-09-02

[4]

等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 [P].

壁义郎 ;

小林岳志 ;

盐泽俊彦 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101652842B ,2010-02-17

[5]

等离子体氧化处理方法和半导体装置的制造方法 [P].

佐佐木胜 .

中国专利 :CN101313393A ,2008-11-26

[6]

等离子体氧化方法和等离子体氧化设备 [P].

高桥秀治 ;

进藤春雄 .

中国专利 :CN102222613B ,2011-10-19

[7]

半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法 [P].

佐佐木胜 .

中国专利 :CN101053083B ,2007-10-10

[8]

硅氧化膜的形成方法和等离子体氧化处理装置 [P].

壁义郎 ;

大田尾修一郎 ;

佐藤吉宏 .

中国专利 :CN102714158A ,2012-10-03

[9]

半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法 [P].

壁义郎 ;

佐佐木胜 .

中国专利 :CN1993813B ,2007-07-04

[10]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

岩濑拓 ;

荒濑高男 ;

寺仓聪志 ;

渡边勇人 ;

森政士 .

中国专利 :CN111373511A ,2020-07-03

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