硅氧化膜的形成方法和等离子体氧化处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180007026.3

申请日：

2011-03-09

公开(公告)号：

CN102714158A

公开(公告)日：

2012-10-03

发明(设计)人：

壁义郎大田尾修一郎佐藤吉宏

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2131

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101717250303 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2011800070263 申请公布日:20121003
2012-10-03	公开	公开
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101353331978 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2011800070263 申请日:20110309

共 50 条

[1]

等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 [P].

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

小林岳志 ;

足立光 ;

北川淳一 ;

山本伸彦 .

中国专利 :CN101523575B ,2009-09-02

[2]

等离子体氧化处理方法 [P].

堀胜 ;

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101405846A ,2009-04-08

[3]

等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质 [P].

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

小林岳志 ;

北川淳一 ;

伊佐和裕 .

中国专利 :CN101523576A ,2009-09-02

[4]

等离子体氧化处理方法、存储介质和等离子体处理装置 [P].

小林岳志 ;

北川淳一 ;

壁义郎 ;

盐泽俊彦 .

中国专利 :CN101523574A ,2009-09-02

[5]

硅氧化膜的形成方法、等离子体处理装置和存储介质 [P].

壁义郎 ;

小林岳志 ;

盐泽俊彦 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101517716A ,2009-08-26

[6]

等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 [P].

壁义郎 ;

小林岳志 ;

盐泽俊彦 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101652842B ,2010-02-17

[7]

硅氧化膜的形成方法，等离子体处理装置以及存储介质 [P].

小林岳志 ;

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101523577A ,2009-09-02

[8]

等离子体氧化处理方法和半导体装置的制造方法 [P].

佐佐木胜 .

中国专利 :CN101313393A ,2008-11-26

[9]

等离子体氧化方法和等离子体氧化设备 [P].

高桥秀治 ;

进藤春雄 .

中国专利 :CN102222613B ,2011-10-19

[10]

半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法 [P].

佐佐木胜 ;

壁义郎 .

中国专利 :CN1926692A ,2007-03-07

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