半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480042264.8

申请日：

2004-03-01

公开(公告)号：

CN1926692A

公开(公告)日：

2007-03-07

发明(设计)人：

佐佐木胜壁义郎

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423 H01L2949 H01L2128

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-07	公开	公开
2007-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-11-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101215938807 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2004800422648 公开日:20070307

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法 [P].

佐佐木胜 .

中国专利 :CN101053083B ,2007-10-10

[2]

等离子体氧化处理方法和半导体装置的制造方法 [P].

佐佐木胜 .

中国专利 :CN101313393A ,2008-11-26

[3]

半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法 [P].

壁义郎 ;

佐佐木胜 .

中国专利 :CN1993813B ,2007-07-04

[4]

半导体装置的制造方法及等离子体氧化处理方法 [P].

安部宽太 ;

宫入秀和 ;

田中哲弘 ;

家永隆史 ;

山元良高 .

中国专利 :CN102751194B ,2012-10-24

[5]

等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 [P].

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

小林岳志 ;

足立光 ;

北川淳一 ;

山本伸彦 .

中国专利 :CN101523575B ,2009-09-02

[6]

等离子体氧化处理方法 [P].

堀胜 ;

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101405846A ,2009-04-08

[7]

等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 [P].

壁义郎 ;

小林岳志 ;

盐泽俊彦 ;

北川淳一 .

中国专利 :CN101652842B ,2010-02-17

[8]

等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质 [P].

盐泽俊彦 ;

壁义郎 ;

小林岳志 ;

北川淳一 ;

伊佐和裕 .

中国专利 :CN101523576A ,2009-09-02

[9]

等离子体氧化处理方法、存储介质和等离子体处理装置 [P].

小林岳志 ;

北川淳一 ;

壁义郎 ;

盐泽俊彦 .

中国专利 :CN101523574A ,2009-09-02

[10]

等离子体氧化方法和等离子体氧化设备 [P].

高桥秀治 ;

进藤春雄 .

中国专利 :CN102222613B ,2011-10-19

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