半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110230667.0

申请日：

2021-03-02

公开(公告)号：

CN113539819A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

林侑立廖志腾谢瑞夫郑志玄翁子展

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L213213

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	公开	公开
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3213 申请日:20210302

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

林侑立 ;

廖志腾 ;

谢瑞夫 ;

郑志玄 ;

翁子展 .

中国专利 :CN113539819B ,2025-12-30

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

周孟翰 ;

刘书豪 ;

陈国儒 ;

陈亮吟 ;

张惠政 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN113793834A ,2021-12-14

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

王肇仪 ;

古进誉 ;

吕文雄 ;

毛隆凯 ;

郑明达 .

中国专利 :CN114572929B ,2025-02-28

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

李宗亮 .

中国专利 :CN108878364A ,2018-11-23

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

陈文进 ;

吴正一 ;

郑有宏 ;

郭人华 ;

刘响 ;

李锦思 .

中国专利 :CN108231685B ,2018-06-29

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

王肇仪 ;

古进誉 ;

吕文雄 ;

毛隆凯 ;

郑明达 .

中国专利 :CN114572929A ,2022-06-03

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

薛长荣 ;

颜晨恩 ;

康金玮 ;

詹凯钧 ;

林威宏 ;

林政仁 ;

郑明达 ;

陈清晖 ;

李明机 .

中国专利 :CN111261631B ,2020-06-09

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

熊德智 ;

吴俊德 ;

王鵬 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN113948472A ,2022-01-18

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

林千 ;

李堃毓 ;

沙哈吉·B.摩尔 ;

李承翰 ;

张世杰 .

中国专利 :CN110970487A ,2020-04-07

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

龙俊名 ;

林颂恩 .

中国专利 :CN120676653A ,2025-09-19

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