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半导体器件及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011628053.X
申请日：
2020-12-30
公开(公告)号：
CN113793834A
公开(公告)日：
2021-12-14
发明(设计)人：
周孟翰 刘书豪 陈国儒 陈亮吟 张惠政 杨育佳
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H01L218234
IPC分类号：
H01L27088
代理机构：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258
代理人：
陈蒙
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-12-14 公开 公开
2021-12-31 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20201230
共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周孟翰 ;
刘书豪 ;
陈国儒 ;
陈亮吟 ;
张惠政 ;
杨育佳 .
中国专利 :CN113793834B ,2024-05-24
[2]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
陈国儒 ;
黄俊贤 ;
刘书豪 ;
陈亮吟 ;
张惠政 ;
杨育佳 .
中国专利 :CN113161320B ,2025-04-29
[3]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
陈国儒 ;
黄俊贤 ;
刘书豪 ;
陈亮吟 ;
张惠政 ;
杨育佳 .
中国专利 :CN113161320A ,2021-07-23
[4]
半导体器件结构及其形成方法 [P]. 
林育樟 ;
何柏慷 ;
陈亮吟 ;
黄才育 ;
徐志安 .
中国专利 :CN119317175A ,2025-01-14
[5]
半导体器件结构及其形成方法 [P]. 
陈文彦 ;
李旻仓 ;
陈亮吟 ;
徐志安 ;
陈佳政 .
中国专利 :CN119451204A ,2025-02-14
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
何柏慷 ;
黄才育 ;
陈建豪 .
中国专利 :CN120936086A ,2025-11-11
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
董雨陇 ;
梁铭彰 ;
陈芳 .
中国专利 :CN109244060A ,2019-01-18
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
霍宗亮 ;
徐伟 ;
王猛 ;
周文斌 ;
李贝贝 ;
袁彬 .
中国专利 :CN121040237A ,2025-11-28
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
熊德智 ;
吴俊德 ;
王鵬 ;
林焕哲 .
中国专利 :CN113948472A ,2022-01-18
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
张浩 ;
唐兆云 ;
华文宇 .
中国专利 :CN121038272A ,2025-11-28
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