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半导体器件及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510159227.9
申请日：
2025-02-13
公开(公告)号：
CN120936086A
公开(公告)日：
2025-11-11
发明(设计)人：
何柏慷 黄才育 陈建豪
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H10D64/27
IPC分类号：
H10D62/10 H10D84/83 H10D84/03 B82Y40/00
代理机构：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258
代理人：
朱亦林
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-11 公开 公开
2025-11-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/27申请日:20250213
共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
江国诚 ;
王志豪 ;
陈冠霖 ;
黄禹轩 ;
蔡劲 .
中国专利 :CN118039695A ,2024-05-14
[2]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
徐崇威 ;
朱龙琨 ;
赖世豪 ;
廖翊博 ;
江国诚 ;
王志豪 .
中国专利 :CN119967895A ,2025-05-09
[3]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周孟翰 ;
刘书豪 ;
陈国儒 ;
陈亮吟 ;
张惠政 ;
杨育佳 .
中国专利 :CN113793834A ,2021-12-14
[4]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 .
中国专利 :CN113745221A ,2021-12-03
[5]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
董雨陇 ;
梁铭彰 ;
陈芳 .
中国专利 :CN109244060A ,2019-01-18
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
霍宗亮 ;
徐伟 ;
王猛 ;
周文斌 ;
李贝贝 ;
袁彬 .
中国专利 :CN121040237A ,2025-11-28
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
范智翔 ;
沈宗翰 ;
林加明 ;
李威缙 ;
李显铭 ;
徐志安 .
中国专利 :CN113889532A ,2022-01-04
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 .
中国专利 :CN113745223A ,2021-12-03
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
詹益旺 ;
赖惠先 ;
童宇诚 ;
刘安淇 ;
林刚毅 .
中国专利 :CN113363327A ,2021-09-07
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
熊德智 ;
吴俊德 ;
王鵬 ;
林焕哲 .
中国专利 :CN113948472A ,2022-01-18
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