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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410084683.7
申请日：
2024-01-19
公开(公告)号：
CN118039695A
公开(公告)日：
2024-05-14
发明(设计)人：
江国诚
王志豪
陈冠霖
黄禹轩
蔡劲
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L21/336
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-31 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240119 |
| 2024-05-14 | 公开 | 公开 |