形成栅极介电层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610168809.0

申请日：

2006-12-14

公开(公告)号：

CN100477167C

公开(公告)日：

2007-06-20

发明(设计)人：

尹哲镇

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L2128 H01L21311

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-20	公开	公开
2009-04-08	授权	授权
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597014432 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利号:ZL2006101688090 申请日:20061214 授权公告日:20090408 终止日期:20131214

共 50 条

[1]

栅极介电层的制作方法 [P].

苏国辉 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102760655A ,2012-10-31

[2]

一种蚀刻栅极介电层的方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN104658899A ,2015-05-27

[3]

制作栅极介电层的方法 [P].

刘传玺 ;

林秀珊 ;

林于尹 ;

潘同明 ;

黄国泰 .

中国专利 :CN1312737C ,2003-03-12

[4]

栅极介电层及其形成方法 [P].

郑博伦 ;

程立伟 .

中国专利 :CN1855374A ,2006-11-01

[5]

栅极介电层保护 [P].

森胁义和 .

中国专利 :CN115084136A ,2022-09-20

[6]

栅极介电层的制作方法 [P].

聂俊峰 ;

陈宪伟 ;

郑丰绪 ;

陈振隆 ;

周顺田 .

中国专利 :CN1272833C ,2004-12-08

[7]

制作双层栅极介电层的方法 [P].

郑博伦 ;

程立伟 .

中国专利 :CN1825547A ,2006-08-30

[8]

形成介电薄膜的方法 [P].

萨吉·利维 ;

罗宾·S·布卢姆 ;

阿瓦沙伊·凯普坦 .

中国专利 :CN100442454C ,2005-07-13

[9]

形成介电薄膜的方法 [P].

萨吉·利维 ;

罗宾·S·布卢姆 ;

阿瓦沙伊·凯普坦 .

中国专利 :CN1459126A ,2003-11-26

[10]

多重栅极介电层的结构 [P].

杨育佳 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2751446Y ,2006-01-11

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